半導体ウェーハの研磨方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：佐々木功 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-006267
公開番号（公開出願番号）：特開平10-209089
出願日： 1997年01月17日
公開日（公表日）： 1998年08月07日
要約：

【要約】【課題】半導体ウェーハの裏面側を研磨方法であって、その半導体ウェーハの表面側を保護するために保護テープを貼着して研磨に供するが、表面側にバンプ等の突起がある場合に、その突起に研磨時の応力が集中して生ずる割れまたは破損等の不都合を解消すること。【解決手段】経時的に所望硬度の保護部材に固化する液体状樹脂を半導体ウェーハの表面に塗布する工程と、該液体状樹脂が固化し保護部材となった後に研磨装置のチャックテーブルに保護部材側を載置する工程と、半導体ウェーハの裏面と対峙する研磨砥石によって該ウェーハの裏面を研磨する工程とからなるものであり、液体状樹脂を固化させた保護部材の存在により、研磨の押圧力が掛かっても、突起等に応力が集中せず、半導体ウェーハが割れたり破損したりさせないで、研磨を遂行することができる。

請求項（抜粋）：

経時的に所望硬度の保護部材に固化する液体状樹脂を半導体ウェーハの表面に塗布する工程と、該液体状樹脂が固化し保護部材となった後に研磨装置のチャックテーブルに保護部材側を載置する工程と、半導体ウェーハの裏面と対峙する研磨砥石によって該ウェーハの裏面を研磨する工程と、を含むことを特徴とする半導体ウェーハの研磨方法。

IPC (2件)：

H01L 21/304 321 , H01L 21/304

FI (2件)：

H01L 21/304 321 M , H01L 21/304 321 S

引用特許：

審査官引用 (13件)

特開昭60-219750
シリコンウェハーのバックグラインド方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-163257 出願人：日立化成工業株式会社
特開平1-236632

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