特許

J-GLOBAL ID：200903056016384624

堆積膜形成方法および堆積膜形成装置

発明者： 尾▲崎▼ 裕之 ,  森山 公一朗 ,  下田 寛嗣 ,  岡田 直人 ,  金井 正博
出願人/特許権者： キヤノン株式会社
代理人 (1件)： 渡辺 敬介 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-067355
公開番号（公開出願番号）：特開2001-323380
出願日： 2001年03月09日
公開日（公表日）： 2001年11月22日
要約：

【要約】【課題】 膜厚むら及び膜質むらのない半導体層を堆積して、特性むらのない光起電力素子を得ることができる堆積膜形成方法および堆積膜形成装置を提供する。【解決手段】 複数の連続した真空容器内にプラズマを生起させ、帯状基板104をその長手方向に連続的に移動させながら、該基板104上に連続的に堆積膜を形成する堆積膜形成方法であって、放電容器の開口部を、堆積速度分布の測定に基づいて、基板幅方向における堆積膜厚のむらが減少するように形状を設定した開口調整板102で開口調整して成膜を行う。

請求項（抜粋）：

複数の連続した真空容器内にプラズマを生起させ、帯状基板をその長手方向に連続的に移動させながら、該基板上に連続的に堆積膜を形成する堆積膜形成方法において、放電容器の開口部を、堆積速度分布の測定に基づいて、基板幅方向における堆積膜厚のむらが減少するように形状を設定した開口調整板で開口調整して、成膜を行うことを特徴とする堆積膜形成方法。

IPC (2件)：

C23C 16/52 ,  H01L 31/04

FI (2件)：

C23C 16/52 ,  H01L 31/04 V

Fターム (21件)：

4K030AA06 ,  4K030AA17 ,  4K030BA30 ,  4K030BB12 ,  4K030CA02 ,  4K030CA17 ,  4K030FA01 ,  4K030GA14 ,  4K030HA03 ,  4K030JA07 ,  4K030KA12 ,  4K030KA41 ,  4K030LA16 ,  5F051AA05 ,  5F051CA02 ,  5F051CA03 ,  5F051CA04 ,  5F051CA16 ,  5F051CA17 ,  5F051FA04 ,  5F051GA05

引用特許：

審査官引用 (3件)

• プラズマCVD装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-221593   出願人：日立マクセル株式会社
• プラズマ処理装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-157279   出願人：松下電器産業株式会社
• マイクロ波プラズマCVD法により大面積の機能性 堆積膜を連続的に形成する方法及び装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-141316   出願人：キヤノン株式会社