特許
J-GLOBAL ID：200903056025755210
半導体素子製造用マスク及びその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (4件)：
志賀 正武
, 渡邊 隆
, 村山 靖彦
, 実広 信哉
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-292872
公開番号（公開出願番号）：特開2006-106757
出願日： 2005年10月05日
公開日（公表日）： 2006年04月20日
要約：
【課題】半導体素子製造用マスク及びその製造方法を提供する。【解決手段】このマスクセットは、第1ハーフトーンパターンが形成されて前記第1パターン領域を画定する第1露光領域を含む第1マスクレイヤと、バイナリパターン及び第2ハーフトーンパターンが形成されて前記第2パターン領域を画定する第2露光領域を含む第2マスクレイヤを含む。バイナリパターンとハーフトーンパターンで構成された第2マスクレイヤを使用することで、第1マスクレイヤを使用して1次露光した後、ハーフトーン膜と遮光膜の誤整列及びレジストレーションによって誘発される1次露光の異常露光を2次露光で補正することができる。【選択図】図5
請求項（抜粋）：
第1パターン領域と第2パターン領域とを画定するためのマスクセットにおいて、
第1遮光領域と、第1ハーフトーンパターンが形成されて第1パターン領域を画定する第1露光領域と、を含む第1マスクレイヤと、
バイナリパターン及び第2ハーフトーンパターンが形成されて前記第2パターン領域を画定する第2露光領域を含む第2マスクレイヤと、を含むことを特徴とするマスクセット。
IPC (3件)：
G03F 1/08
, G03F 7/20
, H01L 21/027
G03F1/08 A
, G03F7/20 521
, H01L21/30 502C
2H095BA02
, 2H095BB02
, 2H095BC05
, 2H095BC09
, 5F046AA13
, 5F046AA25
