特許
J-GLOBAL ID：200903056046044402
半導体装置及びその製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-239861
公開番号（公開出願番号）：特開2003-051570
出願日： 2001年08月07日
公開日（公表日）： 2003年02月21日
要約：
【要約】【課題】 半導体素子の入出力端子と再配線用回路を最短距離で効率良く確実に接続され、ウェハーが大径化した際にも低コストで信頼性に優れ半導体の高速化にも対応できる半導体装置とその製造方法を提供する。【解決手段】 多数の半導体チップが形成された半導体ウェハー表面全体に形成された絶縁樹脂層上に、ボンディングパッド、ボンドフィンガー、及び再配線用回路が、各半導体チップに配置され、該半導体チップの入出力端子と該再配線用回路とが、該入出力端子上に配置されたスタッドバンプを介して接続され、半導体ウェハーを個片化されてなる半導体装置において、絶縁樹脂層が、絶縁樹脂層と、樹脂付き2層銅箔より形成されてなることを特徴とする半導体装置。
請求項（抜粋）：
多数の半導体チップが形成された半導体ウェハー表面全体に形成された絶縁樹脂層上に、半田ボールを搭載するためのボンディングパッド、該半導体チップを接続するためのボンドフィンガー、及び再配線用回路が、各半導体チップに配置され、該半導体チップの入出力端子と該再配線用回路とが、該入出力端子上に配置されたスタッドバンプを介して接続され、半導体ウェハーを個片化されてなる半導体装置において、絶縁樹脂層が、絶縁樹脂層と、第1銅箔層及び裏打ち用第2銅箔層からなる樹脂付き銅箔より形成されてなることを特徴とする半導体装置。
IPC (2件)：
H01L 23/12 501
, H01L 23/12
H01L 23/12 501 P
, H01L 23/12 501 F
