特許
J-GLOBAL ID：200903056182316459

半導体装置及び半導体装置の製造方法

発明者：
河野 純子

河野 純子 について


出願人/特許権者：
日本電気株式会社

日本電気株式会社 について


代理人 (1件)： 菅野 中
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-295377
公開番号（公開出願番号）：特開2001-118859
出願日： 1999年10月18日
公開日（公表日）： 2001年04月27日
要約：
【要約】【課題】 ソース・ドレイン電極を引出すためのオーミック部と基板上の絶縁層の接触を断ち、絶縁膜による誘電体成分を排除して、さらに高周波利得,雑音指数を向上させる。【解決手段】 半導体基板1のチャネル層2から立上がって形成されたゲート電極7の周囲をソース・ドレイン電極12で取囲み、ソース・ドレイン電極12の開口12aを閉塞してゲート電極7と前記ソース・ドレイン電極12との間に空隙14を確保し、さらにチャネル層2とソース・ドレイン電極12とを結合するオーミック部4を、半導体基板1上に形成される絶縁層から隔離する。
請求項（抜粋）：
半導体基板のチャネル層から立上がって形成されたゲート電極の周囲をソース・ドレイン電極で取囲み、前記ソース・ドレイン電極の開口を閉塞して前記ゲート電極と前記ソース・ドレイン電極との間に空隙を確保し、さらに前記チャネル層と前記ソース・ドレイン電極とを結合するオーミック部を、前記半導体基板上に形成される絶縁層から隔離したことを特徴とする半導体装置。
IPC (3件)：
H01L 21/338 ,  H01L 29/812 ,  H01L 29/417
FI (3件)：
H01L 29/80 F ,  H01L 29/50 J ,  H01L 29/80 B
Fターム (27件)：
4M104AA05 ,  4M104BB09 ,  4M104CC01 ,  4M104CC03 ,  4M104DD09 ,  4M104DD10 ,  4M104DD16 ,  4M104DD34 ,  4M104DD52 ,  4M104DD53 ,  4M104DD68 ,  4M104FF07 ,  4M104GG12 ,  5F102FA00 ,  5F102GB01 ,  5F102GC01 ,  5F102GD01 ,  5F102GJ05 ,  5F102GR04 ,  5F102GS04 ,  5F102GV08 ,  5F102HC01 ,  5F102HC07 ,  5F102HC11 ,  5F102HC17 ,  5F102HC19 ,  5F102HC30
引用特許：
審査官引用 (3件)

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