結晶性薄膜形成装置、結晶性薄膜形成方法、プラズマ照射装置、およびプラズマ照射方法

発明者： ,
出願人/特許権者： ,
代理人 (1件)：吉田茂明 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-260663
公開番号（公開出願番号）：特開平8-119793
出願日： 1994年10月25日
公開日（公表日）： 1996年05月14日
要約：

【要約】【目的】プラズマシースの影響を除去する。【構成】 ECRイオン源2で生成されたプラズマは発散する磁力線BECRの勾配によって被照射体へと加速される。このとき、プラズマ中の電子は磁力線BECRの回りに螺旋運動しながら磁力線BECRに沿って移動する。このプラズマの経路には、開口部を有する導電性のシースリムーバ18aが介挿される。このため、最小開口径DSよりもラーモア径DLが大きく、開口深さTSよりもデバイ長LDが大きい電子はシースリムーバ18aによって阻止される。プラズマシースの生成に実質的に寄与するラーモア径DL、デバイ長LDを基準に最小開口径DS、開口深さTSを設定することによって、シースリムーバ18aの下流においてプラズマシースの発生が実質的に解消される。【効果】プラズマシースの発生が抑制される。

請求項（抜粋）：

プラズマを発散磁場によって加速することにより被照射体に前記プラズマを照射するプラズマ照射装置において、開口部を規定する電子阻止手段が、前記プラズマが前記被照射体へと至る経路に設置されており、前記電子阻止手段が設置される位置での比較において、前記プラズマ中の電子の中でプラズマシースの生成に実質的に寄与し得る電子のラーモア径よりも前記開口部の最小径が小さく、プラズマシースの生成に実質的に寄与し得る前記電子のデバイ長よりも前記開口部の深さが大きいことを特徴とするプラズマ照射装置。

IPC (6件)：

C30B 25/02 , B01J 19/08 , C23C 16/50 , H01L 21/20 , H01L 21/205 , H05H 1/46

引用特許：

審査官引用 (8件)

特公平6-027340
特開昭63-215596
特開平4-293781

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