量子細線の製造方法

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：藤島洋一郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-325555
公開番号（公開出願番号）：特開平10-167893
出願日： 1996年12月05日
公開日（公表日）： 1998年06月23日
要約：

【要約】【課題】直径が十分に小さいシリコン量子細線を低温で成長させることができる量子細線の製造方法を提供する。【解決手段】シリコン基板11の上に金などの金属層12を蒸着する。金属層12の厚さは5nm以下とする。そののち、シリコン原料ガスを0.5Torr以上の圧力で含む雰囲気中において400°C以下の温度で加熱する。シリコン原料ガスとしては、分解反応によりシリコンを生成しかつ400°C以下における分解反応のギブス自由エネルギー変化が負の値となりうるもの(シランガスなど)が好ましい。これにより、シリコン基板11の表面にはシリコンと金属との溶融合金滴12aが形成され、それを触媒としてシリコン原料ガスの分解反応が起こり、直径が20nmよりも小さいシリコン量子細線13が成長する。

請求項（抜粋）：

シリコンと溶融合金滴を形成する金属をシリコン基板の上に蒸着する蒸着工程と、この蒸着工程ののち、シリコン基板を、分解反応によりシリコンを生成しかつ400°C以下における分解反応のギブス自由エネルギー変化が負の値となりうるシリコン原料ガスを0.5Torr以上の圧力で含む雰囲気中において、400°C以下の温度に加熱してシリコン量子細線を成長させる成長工程とを含むことを特徴とする量子細線の製造方法。

IPC (7件)：

C30B 29/06 504 , C30B 25/18 , H01L 21/20 , H01L 21/203 , H01L 21/205 , H01L 29/06 , H01S 3/18

FI (7件)：

C30B 29/06 504 Z , C30B 25/18 , H01L 21/20 , H01L 21/203 Z , H01L 21/205 , H01L 29/06 , H01S 3/18

引用特許：

審査官引用 (6件)

微細構造の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-111125 出願人：松下電器産業株式会社
結晶ホイスカの制御成長方法と、該方法の尖頭超小型カソード製造への応用
公報種別：公開公報出願番号：特願平3-053380 出願人：トムソン-セーエスエフ
シリコン針状結晶の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-154115 出願人：電気化学工業株式会社

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