特許
J-GLOBAL ID：200903056270809708
p型のIII族窒化物半導体領域を形成する方法、およびIII族窒化物半導体素子
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (5件)：
長谷川 芳樹
, 塩田 辰也
, 寺崎 史朗
, 柴田 昌聰
, 近藤 伊知良
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-119491
公開番号（公開出願番号）：特開2005-303146
出願日： 2004年04月14日
公開日（公表日）： 2005年10月27日
要約：
【課題】 III族窒化物半導体領域中のp型ドーパントを活性化するp型のIII族窒化物半導体領域を形成する方法、および半導体素子を提供する。【解決手段】 p型のIII族窒化物半導体領域を形成する方法は、p型ドーパントが添加されたIII族窒化物半導体領域45、47を形成する工程と、p型ドーパントが添加されたIII族窒化物半導体領域45、47に中性子線53を照射して水素55を脱離させ、活性化されたp型ドーパント57を形成する工程を含むことを特徴とする。加熱炉を用いることなく、III族窒化物半導体領域45、47中のp型ドーパントを活性化することができる。中性子線は電荷を持たないので、通過する物質との衝突によってのみ相互作用する。水素の原子核である陽子の質量と中性子の質量がほぼ等しい為、水素原子との相互作用がもっとも大きい。【選択図】 図3
請求項（抜粋）：
p型のIII族窒化物半導体領域を形成する方法であって、
p型ドーパントが添加されたIII族窒化物半導体領域に中性子線を照射してp型ドーパントを活性化する工程を含むことを特徴とする、方法。
IPC (3件)：
H01L21/26
, H01L33/00
, H01S5/343
H01L21/26 Z
, H01L33/00 C
, H01S5/343 610
5F041AA03
, 5F041CA05
, 5F041CA40
, 5F041CA53
, 5F041CA57
, 5F041CA65
, 5F041CA77
, 5F173AF78
, 5F173AH22
, 5F173AH49
, 5F173AJ03
, 5F173AJ04
, 5F173AP05
, 5F173AP60
, 5F173AR64
