特許
J-GLOBAL ID：200903047188333844

窒化ガリウム系化合物半導体素子の製造方法

発明者：
酒井 士郎

酒井 士郎 について


出願人/特許権者：
酒井 士郎

酒井 士郎 について

, 
ナイトライド・セミコンダクター株式会社

ナイトライド・セミコンダクター株式会社 について


代理人 (1件)： 吉田 研二 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-227272
公開番号（公開出願番号）：特開2002-043619
出願日： 2000年07月27日
公開日（公表日）： 2002年02月08日
要約：
【要約】【課題】 GaN系化合物半導体素子において、P型GaN系化合物半導体を得る。【解決手段】 基板10上にN型GaN系化合物半導体層12を形成し、さらにP型不純物をドープしたGaN系化合物半導体層14を形成する。P型不純物をドープしたGaN系化合物半導体層14に特定波長の電磁波を照射し、水素結合を選択的に振動させてHを解離させ、アクセプタとして活性化させる。
請求項（抜粋）：
N型GaN系化合物半導体層とP型GaN系化合物半導体層とを積層してなる素子の製造方法であって、基板上にN型GaN系化合物半導体層とP型不純物を含むGaN系化合物半導体層とを形成するステップと、前記P型不純物を含むGaN系化合物半導体層に所定波長の電磁波を照射するステップと、を有することを特徴とする窒化ガリウム系化合物半導体素子の製造方法。
IPC (4件)：
H01L 33/00 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/268 ,  H01L 21/324
FI (4件)：
H01L 33/00 C ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/268 Z ,  H01L 21/324 C
Fターム (21件)：
5F041AA31 ,  5F041CA40 ,  5F041CA49 ,  5F041CA53 ,  5F041CA57 ,  5F041CA65 ,  5F041CA77 ,  5F045AA04 ,  5F045AB14 ,  5F045AB17 ,  5F045AC08 ,  5F045AC12 ,  5F045AD08 ,  5F045AD09 ,  5F045AF09 ,  5F045BB07 ,  5F045BB16 ,  5F045CA10 ,  5F045DA53 ,  5F045DA54 ,  5F045HA17
引用特許：
審査官引用 (5件)
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