特許
J-GLOBAL ID：200903023239178818
窒化物半導体の低抵抗化方法
発明者：
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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-039462
公開番号（公開出願番号）：特開平11-238692
出願日： 1998年02月23日
公開日（公表日）： 1999年08月31日
要約：
【要約】【目的】 p型不純物をドープした窒化物半導体を低抵抗にできる従来の技術よりも進歩した、他の新規な技術を提供する。【構成】 p型不純物をドープした窒化物半導体を成長させた後、その窒化物半導体のバンドギャップエネルギー以上のエネルギーを含む電磁波を照射する第工程と、実質的に活性な水素を含まない雰囲気中において、その窒化物半導体を熱処理する工程とを行う。電磁波照射により窒化物半導体に電子を供給して、p型不純物を結合した水素を解離することにより、前記窒化物半導体の抵抗率を低下させる。
請求項（抜粋）：
p型不純物をドープした窒化物半導体を成長させた後、その窒化物半導体のバンドギャップエネルギー以上のエネルギーを含む電磁波を照射する第1の工程と、実質的に活性な水素を含まない雰囲気中において、その窒化物半導体を熱処理する第2の工程とを行うことにより、前記窒化物半導体の抵抗率を低下させることを特徴とする窒化物半導体の低抵抗化方法。
IPC (4件)：
H01L 21/26
, H01L 21/268
, H01L 33/00
, H01S 3/18
H01L 21/26 F
, H01L 21/268 Z
, H01L 33/00 C
, H01S 3/18
