炭化珪素半導体装置およびその製造方法

発明者： , , ,
出願人/特許権者： ,
代理人 (3件)：伊藤洋二 , 三浦高広 , 水野史博
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-071308
公開番号（公開出願番号）：特開2009-231321
出願日： 2008年03月19日
公開日（公表日）： 2009年10月08日
要約：

【課題】側面放電が起こることを防止できる縦型パワー素子を備えた炭化珪素半導体装置とする。【解決手段】パッシベーション膜6の表面を凹凸面6dとすることで、パッシベーション膜6の表面を経路とした開口部6aの開口端から半導体チップの端面までの距離L2を凹凸面6dが形成されていない場合と比べて長くする。これにより、側面放電が発生し難くなるようにでき、側面放電による素子破壊を抑制することが可能となる。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

主表面(1a)および裏面(1b)を有し、炭化珪素からなる基板(1)と、前記基板(1)の前記主表面(1a)上に形成され、前記基板(1)よりも低不純物濃度とされた第1導電型の炭化珪素からなるドリフト層(2)と、前記ドリフト層(2)の表面に形成され、開口部(3a)が備えられた層間絶縁膜(3)と、前記ドリフト層(2)におけるセル部に形成された半導体素子(10)と、前記ドリフト層(2)上において、前記層間絶縁膜(3)の前記開口部を通じて前記半導体素子(10)と電気的に接続された表面電極(4、5)と、前記表面電極(4、5)の外縁部を覆いつつ、前記セル部の外周部において前記ドリフト層(2)の上部を覆うように配置されたパッシベーション膜(6)と、前記基板(1)の裏面(1b)において、前記半導体素子(10)と電気的に接続された裏面電極(7)と、を有してなり、チップ単位に分割されて半導体チップとされた炭化珪素半導体装置であって、前記パッシベーション膜(6)の表面には該パッシベーション膜(6)の下地表面の形状を受け継いでいない凹凸面(6d)が形成されており、前記パッシベーション膜(6)のうち前記表面電極(4、5)と外部との電気的接続を行うための開口部(6a)の開口端から前記半導体チップの端面に至る前記凹凸面(6d)の距離に関して、該パッシベーション膜(6)の下地表面の形状を受け継いだ場合の表面を経路とした距離(L1)と比較して、前記凹凸面(6d)の表面上を経路とする距離(L2)の方が長くなっていることを特徴とする炭化珪素半導体装置。

IPC (6件)：

H01L 29/47 , H01L 29/872 , H01L 21/283 , H01L 29/12 , H01L 29/78 , H01L 21/336

FI (5件)：

H01L29/48 D , H01L29/48 F , H01L21/283 B , H01L29/78 652T , H01L29/78 658F

Fターム (12件)：

4M104AA03 , 4M104BB14 , 4M104BB16 , 4M104EE06 , 4M104EE12 , 4M104EE17 , 4M104EE18 , 4M104FF35 , 4M104GG03 , 4M104GG09 , 4M104GG11 , 4M104HH20

引用特許：

出願人引用 (8件)

パワー半導体素子
公報種別：公開公報出願番号：特願2000-103351 出願人：住友電気工業株式会社
高耐圧半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2006-019036 出願人：三菱電機株式会社
特開昭60-207340

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審査官引用 (7件)

高耐圧半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2006-019036 出願人：三菱電機株式会社
特開昭60-207340
特開昭63-010571

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