特許
J-GLOBAL ID：200903056310154823
CMOS素子の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
瀬谷 徹 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-184277
公開番号（公開出願番号）：特開2000-036567
出願日： 1999年06月29日
公開日（公表日）： 2000年02月02日
要約：
【要約】【目的】 本発明は、PMOS素子での正孔の移動度を向上させることができるCMOS素子の製造方法を提供する。【構成】 本発明は、ベース基板、埋め込み酸化膜、及び半導体層の積層構造からなるSOIウェーハを提供する段階;前記SOIウェーハの半導体層に、PMOS及びNMOSの形成領域を限定するフィールド酸化膜を形成する段階;及び前記フィールド酸化膜により限定された領域にPMOSとNMOSを形成する段階を含むCMOS素子の製造方法において、前記PMOS形成領域を限定するフィールド酸化膜は、前記PMOSの形成される半導体層領域が圧縮応力を受けるように熱酸化工程で形成することを特徴とする。
請求項（抜粋）：
ベース基板、埋め込み酸化膜、及び半導体層の積層構造からなるSOIウェーハを提供する段階;前記SOIウェーハの半導体層に、PMOS及びNMOSの形成領域を限定するフィールド酸化膜を形成する段階;及び前記フィールド酸化膜により限定された領域にPMOSとNMOSを形成する段階を含むCMOS素子の製造方法において、前記PMOSの形成領域を限定するフィールド酸化膜は、前記PMOSの形成される半導体層領域が圧縮応力を受けるように熱酸化工程で形成することを特徴とするCMOS素子の製造方法。
IPC (3件)：
H01L 27/08 331
, H01L 27/04
, H01L 21/822
H01L 27/08 331 A
, H01L 27/04 D
