絶縁体上の半導体のキャリア移動度を強化する構造

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：坂口博 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-204056
公開番号（公開出願番号）：特開平11-054756
出願日： 1997年07月30日
公開日（公表日）： 1999年02月26日
要約：

【要約】【課題】本発明は、絶縁基板を含む半導体層のキャリアの正孔と電子の移動度を高める構造を有する半導体構造を提供する。【解決手段】半導体層は絶縁層の上に位置し、半導体層の第1領域は第2領域をほぼ取り囲む。第1領域は、合金化、酸化、沈殿、粒子サイズの形成または変更及び反応で構成されるグループから選択されたプロセスにより形成される。これにより合金、酸化物、沈殿物、または化合物が、単独で、または半導体層の物質と組み合わせられて形成される。第1領域は物質の初期容積より大きく、これにより第2領域は圧縮応力を受け、結果的に価電子帯の縮退がとれ、正孔等のキャリアのバンド・エッジ質量が減少し、正孔と電子の両方の輸送が改良される。本発明は、この構造により、キャリア移動度が低いnチャネル及びpチャネルのトランジスタと、キャリア移動度が低いpチャネル・トランジスタを持つCMOSロジックの問題を克服する。

請求項（抜粋）：

半導体層のキャリア移動度を高める装置であって、絶縁基板と、前記絶縁層上に位置する半導体層と、を含み、前記半導体層の第1領域は事実上、第2領域を囲み、前記第1領域は、合金化、酸化、沈殿及び反応で構成されるグループから選択され、前記半導体層の物質との合金、酸化物、沈殿物、または化合物が形成されるプロセスにより形成され、前記第1領域の容積は、前記物質の初期容積より大きく、よって前記第2領域は圧縮応力を受け、価電子帯の縮退がとれ、キャリアのバンド・エッジ質量が減少する、半導体装置。

IPC (5件)：

H01L 29/786 , H01L 21/762 , H01L 27/08 331 , H01L 27/12 , H01L 21/336

FI (6件)：

H01L 29/78 621 , H01L 27/08 331 E , H01L 27/12 F , H01L 21/76 D , H01L 29/78 613 A , H01L 29/78 618 Z

引用特許：

審査官引用 (9件)

特開昭61-248467
絶縁物上シリコン技術のための分離酸化物形成方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-298216 出願人：モトローラ・インコーポレイテッド
微構造体およびその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-056680 出願人：松下電器産業株式会社

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