特許
J-GLOBAL ID：200903056368835030

複合積層セラミック電子部品及びその製造方法

発明者：
杉本 安隆

杉本 安隆 について

, 
近川 修

近川 修 について

, 
森 直哉

森 直哉 について


出願人/特許権者：
株式会社村田製作所

株式会社村田製作所 について


代理人 (1件)： 宮▼崎▲ 主税
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-377571
公開番号（公開出願番号）：特開2003-063861
出願日： 2001年12月11日
公開日（公表日）： 2003年03月05日
要約：
【要約】【課題】 実施材料の界面における剥離変形が生じ難く、低温で焼成でき、しかも高周波用途に用いるのに適した低い誘電損失を実現し得る複合積層セラミック電子部品を提供する。【解決手段】 一般式xBaO-yTiO2-zReO3/2(但し、x,y,zはモル%、8≦x≦18、52≦y≦65及び20≦z≦40であり、x+y+z=100、Reは希土類元素)で表されるBaO-TiO2-ReO3/2系誘電体及び第1のガラス組成物を主成分として含む高誘電率材料からなり、比誘電率εrが20以上である高誘電率層と、セラミックスと第2のガラス組成物との複合体からなる低誘電率材料からなり、比誘電率εrが10以下である少なくとも1層の低誘電率層とが積層されている、複合積層セラミック電子部品。
請求項（抜粋）：
一般式xBaO-yTiO2-zReO3/2(但し、x,y,zはモル%、8≦x≦18、52≦y≦65及び20≦z≦40であり、x+y+z=100、Reは希土類元素)で表されるBaO-TiO2-ReO3/2系誘電体及び第1のガラス組成物を主成分として含む高誘電率材料からなり、比誘電率εrが20以上である高誘電率層と、セラミックスと第2のガラス組成物との複合体からなる低誘電率材料からなり、比誘電率εrが10以下である少なくとも1層の低誘電率層とが積層されていることを特徴とする、複合積層セラミック電子部品。
IPC (5件)：
C04B 35/46 ,  C04B 35/49 ,  H01G 4/38 ,  H01P 1/00 ,  H01P 7/10
FI (6件)：
C04B 35/46 C ,  C04B 35/46 D ,  C04B 35/49 Z ,  H01P 1/00 Z ,  H01P 7/10 ,  H01G 4/38 A
Fターム (23件)：
4G031AA01 ,  4G031AA03 ,  4G031AA04 ,  4G031AA05 ,  4G031AA06 ,  4G031AA07 ,  4G031AA11 ,  4G031AA25 ,  4G031AA26 ,  4G031AA28 ,  4G031AA29 ,  4G031AA30 ,  4G031BA09 ,  4G031CA01 ,  4G031CA03 ,  4G031CA08 ,  5E082AB03 ,  5E082CC02 ,  5E082CC05 ,  5E082EE35 ,  5E082FF05 ,  5J006HC07 ,  5J011CA11
引用特許：
審査官引用 (6件)
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