特許
J-GLOBAL ID：200903056400033693

半導体記憶素子及び半導体記憶装置

発明者：
加藤 清

加藤 清 について

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磯部 敦生

磯部 敦生 について

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宮入 秀和

宮入 秀和 について

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山崎 舜平

山崎 舜平 について


出願人/特許権者：
株式会社半導体エネルギー研究所

株式会社半導体エネルギー研究所 について


公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-078348
公開番号（公開出願番号）：特開2004-006730
出願日： 2003年03月20日
公開日（公表日）： 2004年01月08日
要約：
【課題】絶縁表面を有する基板上にTFTおよび半導体素子を作製し、信頼性が高く、高速動作可能な半導体記憶装置を提供する。【解決手段】直線状凹部が設けられた絶縁膜を形成し、その上に半導体膜を堆積し、レーザー光を該半導体膜に照射し凹部に半導体膜を溶融して流し込み結晶化させることで、結晶化に伴う歪み又は応力を凹部以外の領域に集中させることができる。この結晶性半導体膜の表面をエッチング除去することで、凹部領域には、側面が凹部側壁によって覆われ、双晶以外の結晶粒界を含まない結晶性半導体膜が形成され、これをチャネル領域とする半導体素子およびTFTを作製することが可能となる。その結果、信頼性の高い半導体素子、および電界効果移動度高く、かつ特性ばらつきの小さい半導体素子及びTFTを作製することが可能となり、高信頼性、かつ高速動作可能な半導体記憶装置を実現することができる。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
絶縁表面を有する基板上に形成された半導体記憶素子であって、 前記絶縁表面は直線状凹部を有し、 前記半導体記憶素子は、チャネル領域と一導電型の不純物が添加された不純物領域からなる半導体活性層、第1ゲート絶縁膜、電荷蓄積層、第2ゲート絶縁膜、および制御ゲート電極を備えており、 前記チャネル領域は、前記直線状凹部に形成され、前記直線状凹部の側壁によって側面が覆われ、双晶以外の結晶粒界を含まない結晶性半導体膜によって構成されることを特徴とする半導体記憶素子。
IPC (8件)：
H01L21/8247 ,  H01L21/20 ,  H01L21/336 ,  H01L27/10 ,  H01L27/115 ,  H01L29/786 ,  H01L29/788 ,  H01L29/792
FI (7件)：
H01L29/78 371 ,  H01L21/20 ,  H01L27/10 461 ,  H01L27/10 434 ,  H01L29/78 613B ,  H01L29/78 626C ,  H01L29/78 627G
Fターム (100件)：
5F052AA02 ,  5F052AA24 ,  5F052BA01 ,  5F052BA07 ,  5F052BB02 ,  5F052BB04 ,  5F052BB07 ,  5F052DA01 ,  5F052DA02 ,  5F052DA03 ,  5F052DA10 ,  5F052DB02 ,  5F052DB03 ,  5F052DB07 ,  5F052EA11 ,  5F052EA12 ,  5F052EA16 ,  5F052FA06 ,  5F052FA13 ,  5F052FA17 ,  5F052JA01 ,  5F083EP02 ,  5F083EP03 ,  5F083EP18 ,  5F083EP22 ,  5F083EP48 ,  5F083EP76 ,  5F083EP77 ,  5F083EP79 ,  5F083ER02 ,  5F083ER15 ,  5F083ER22 ,  5F083GA01 ,  5F083HA02 ,  5F083JA04 ,  5F083JA36 ,  5F083JA39 ,  5F083JA56 ,  5F083LA04 ,  5F083LA05 ,  5F083PR34 ,  5F083ZA12 ,  5F083ZA13 ,  5F083ZA14 ,  5F101BA12 ,  5F101BA45 ,  5F101BB02 ,  5F101BC11 ,  5F101BD02 ,  5F101BD30 ,  5F101BD34 ,  5F101BD39 ,  5F101BE01 ,  5F101BE02 ,  5F101BE05 ,  5F101BE07 ,  5F101BH16 ,  5F110AA01 ,  5F110AA30 ,  5F110BB04 ,  5F110BB08 ,  5F110CC02 ,  5F110DD01 ,  5F110DD02 ,  5F110DD03 ,  5F110DD04 ,  5F110DD05 ,  5F110DD13 ,  5F110DD15 ,  5F110DD17 ,  5F110DD21 ,  5F110EE03 ,  5F110EE04 ,  5F110EE09 ,  5F110EE29 ,  5F110FF02 ,  5F110FF03 ,  5F110FF04 ,  5F110FF09 ,  5F110FF28 ,  5F110FF30 ,  5F110GG01 ,  5F110GG02 ,  5F110GG13 ,  5F110GG24 ,  5F110GG43 ,  5F110GG45 ,  5F110GG47 ,  5F110HJ12 ,  5F110HJ13 ,  5F110HM15 ,  5F110PP02 ,  5F110PP03 ,  5F110PP04 ,  5F110PP05 ,  5F110PP06 ,  5F110PP34 ,  5F110QQ09 ,  5F110QQ11 ,  5F110QQ28
引用特許：
審査官引用 (4件)
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