半導体装置の製造方法・半導体装置

発明者： , , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：鈴江武彦 (外6名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-187053
公開番号（公開出願番号）：特開2001-015591
出願日： 1999年06月30日
公開日（公表日）： 2001年01月19日
要約：

【要約】【課題】ファセットのないSTI素子分離構造を形成すること。【解決手段】エピタキシャル成長によって、素子を形成するためのエピタキシャル層3をシリコン基板1上に選択成長させる際に、素子分離絶縁膜である熱酸化膜2上にはみだすように形成することによって、ファセットの発生を防止する。この後、不要なエピタキシャル層3をCMPにより除去する。

請求項（抜粋）：

半導体基板上に絶縁膜を形成する工程と、前記絶縁膜に開口部を形成し、前記半導体基板の表面の一部を露出させる工程と、この露出された部分を成長核に用いたエピタキシャル成長によって、前記開口部を充填し、かつ前記絶縁膜上にはみだす厚さの半導体層を形成する工程と、前記開口部外の前記半導体層を除去する工程とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (2件)：

H01L 21/762 , H01L 29/78

FI (2件)：

H01L 21/76 D , H01L 29/78 301 R

Fターム (28件)：

5F032AA10 , 5F032AA82 , 5F032CA05 , 5F032CA17 , 5F032DA02 , 5F032DA23 , 5F032DA24 , 5F032DA25 , 5F032DA33 , 5F032DA53 , 5F032DA74 , 5F032DA78 , 5F040DA06 , 5F040DC01 , 5F040EC01 , 5F040EC02 , 5F040EC03 , 5F040EC04 , 5F040EC07 , 5F040EC13 , 5F040ED03 , 5F040EF02 , 5F040EK00 , 5F040FA01 , 5F040FA02 , 5F040FB02 , 5F040FB05 , 5F040FC10

引用特許：

審査官引用 (15件)

半導体装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平3-315881 出願人：日本電気株式会社
半導体装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平3-315902 出願人：日本電気株式会社
特開昭61-018148

全件表示

前のページに戻る