特許

J-GLOBAL ID：200903056417255614

加熱装置

発明者： 柊平 啓 ,  仲田 博彦 ,  新間 健司
出願人/特許権者： 住友電気工業株式会社
代理人 (4件)： 中野 稔 ,  服部 保次 ,  山口 幹雄 ,  二島 英明
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-113852
公開番号（公開出願番号）：特開2005-302856
出願日： 2004年04月08日
公開日（公表日）： 2005年10月27日
要約：

【課題】 高剛性で反りの心配がなく、かつ被処理物搭載面の熱伝導率が高く、均熱性の向上や、チップの急速な冷却ができる半導体加熱装置を提供する。【解決手段】 本発明の半導体加熱装置は、被処理物を搭載するセラミックスヒータの少なくとも被処理物搭載面に、熱伝導率200W/mK以上の被覆材料を被覆したことを特徴とする。被処理物を搭載するセラミックスヒータの被処理物搭載面上に、金属板あるいは金属とセラミックスの複合体の板を載せ、少なくとも金属板あるいは金属とセラミックスの複合体の板の上に、熱伝導率200W/mK以上の被覆材料を被覆してもよい。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

被処理物を搭載するセラミックスヒータの少なくとも被処理物搭載面に、熱伝導率200W/mK以上の被覆材料を被覆したことを特徴とする半導体加熱装置。

IPC (5件)：

H01L21/02 ,  H05B3/10 ,  H05B3/12 ,  H05B3/20 ,  H05B3/74

FI (6件)：

H01L21/02 Z ,  H05B3/10 C ,  H05B3/12 A ,  H05B3/12 B ,  H05B3/20 328 ,  H05B3/74

Fターム (19件)：

3K034AA02 ,  3K034AA34 ,  3K034BA05 ,  3K034BB06 ,  3K092PP20 ,  3K092QA10 ,  3K092QB02 ,  3K092QB32 ,  3K092QB43 ,  3K092QB62 ,  3K092QB76 ,  3K092RF03 ,  3K092RF11 ,  3K092RF17 ,  3K092RF22 ,  3K092RF27 ,  3K092VV16 ,  3K092VV22 ,  3K092VV26

引用特許：

出願人引用 (1件)

• ウエハプローバ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-201789   出願人：イビデン株式会社

審査官引用 (4件)

• ヒーター、ヒーターを有する加熱定着装置及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-136171   出願人：キヤノン株式会社
• ウェハ支持部材
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-228777   出願人：京セラ株式会社
• ウエハプローバ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-201789   出願人：イビデン株式会社
• 半導体製造装置用ヒータモジュール
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2002-163747   出願人：住友電気工業株式会社