特許

J-GLOBAL ID：200903056426394120

導電性緩衝中間層構造を有する炭化ケイ素基質上の第III族窒化物フォトニックデバイス

発明者： エドモンド,ジョン・アダム ,  コング,フア-シュアン ,  ドーヴァースパイク,キャスリーン・マリー ,  レオナード,マイケル・ターナー
出願人/特許権者： クリー インコーポレイテッド
代理人 (1件)： 社本 一夫 (外5名)
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-515300
公開番号（公開出願番号）：特表2001-519603
出願日： 1998年10月06日
公開日（公表日）： 2001年10月23日
要約：

【要約】炭化ケイ素基質;第III族窒化物活性層を有するオプトエレクトロニックダイオード;炭化ケイ素基質とオプトエレクトロニックダイオードとの間の窒化ガリウムおよび窒化インジウムガリウムからなる群から選ばれる緩衝構造;および緩衝構造内で生じる応力誘発破壊が緩衝構造内の他の部分ではなくて所定の領域に生じるように、緩衝構造の結晶構造内に複数の所定の応力除去領域を含む応力吸収構造を含む第III族窒化物活性層を有するオプトエレクトロニックデバイスを開示する。

請求項（抜粋）：

第III族窒化物活性層を有するオプトエレクトロニックデバイスであって、前記デバイスが炭化ケイ素基質;第III族窒化物活性層を有するオプトエレクトロニックダイオード;前記炭化ケイ素基質と前記オプトエレクトロニックダイオードとの間の、窒化ガリウムおよび窒化インジウムガリウムからなる群から選ばれる緩衝構造;および前記緩衝構造内に生じる応力誘発破壊が前記緩衝構造内の他の場所ではなくて前記特定領域に生じるように、前記緩衝構造の結晶構造内に複数の所定応力除去領域を含む応力吸収構造を含むオプトエレクトロニックデバイス。

IPC (2件)：

H01L 33/00 ,  H01L 21/20

FI (2件)：

H01L 33/00 C ,  H01L 21/20

Fターム (11件)：

5F041AA21 ,  5F041AA40 ,  5F041CA03 ,  5F041CA05 ,  5F041CA33 ,  5F041CA34 ,  5F041CA40 ,  5F041CA75 ,  5F052JA07 ,  5F052JA10 ,  5F052KA02

引用特許：

審査官引用 (5件)

• 窒化物系III-V族化合物半導体装置およびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-344219   出願人：シャープ株式会社
• 窒化ガリウム系化合物半導体チップの製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-279546   出願人：日亜化学工業株式会社
• 六方晶半導体の結晶成長方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-189108   出願人：株式会社東芝
• 特開昭63-076451
  
• 特表昭63-503104