特許

J-GLOBAL ID：200903056430685008

半導体装置の作製方法

発明者： 河崎 律子 ,  北角 英人
出願人/特許権者： 株式会社半導体エネルギー研究所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-339164
公開番号（公開出願番号）：特開2001-156295
出願日： 1999年11月30日
公開日（公表日）： 2001年06月08日
要約：

【要約】【課題】 本発明では、複雑な工程を用いずにボトムゲート型の多結晶シリコンTFTの特性を向上させることを目的とする。【解決手段】 ボトムゲート型の多結晶シリコンTFTで、少なくともチャネル形成領域の上に絶縁膜がある状態で、ファーネスアニール法を用いて500°C〜700°Cで熱処理を行い、さらにその絶縁膜を除去しないことを特徴とする。

請求項（抜粋）：

基板上にゲート電極を形成する第1の工程と、前記ゲート電極を覆うゲート絶縁膜を形成する第2の工程と、前記ゲート絶縁膜上に半導体膜を形成する第3の工程と、前記半導体膜を結晶化して結晶質半導体膜を形成する第4工程と、前記結晶質半導体膜の少なくともチャネル形成領域上に絶縁膜を形成する第5工程と、前記絶縁膜に対して熱処理を行う第6工程と、前記絶縁膜の上に層間絶縁膜を形成する第7工程と、を有することを特徴とする半導体装置の作製方法。

IPC (4件)：

H01L 29/786 ,  H01L 21/336 ,  G02F 1/1365 ,  H01L 21/20

FI (4件)：

H01L 21/20 ,  H01L 29/78 627 F ,  G02F 1/136 500 ,  H01L 29/78 619 A

Fターム (112件)：

2H092GA59 ,  2H092JA26 ,  2H092JA29 ,  2H092JA38 ,  2H092JA42 ,  2H092JA44 ,  2H092JA46 ,  2H092JB13 ,  2H092JB23 ,  2H092JB32 ,  2H092JB33 ,  2H092JB38 ,  2H092JB42 ,  2H092JB51 ,  2H092JB57 ,  2H092JB58 ,  2H092JB63 ,  2H092JB69 ,  2H092KA04 ,  2H092KA07 ,  2H092KA12 ,  2H092KA16 ,  2H092KA18 ,  2H092MA05 ,  2H092MA08 ,  2H092MA14 ,  2H092MA15 ,  2H092MA16 ,  2H092MA18 ,  2H092MA19 ,  2H092MA20 ,  2H092MA22 ,  2H092MA27 ,  2H092MA29 ,  2H092MA30 ,  2H092MA35 ,  2H092MA37 ,  2H092MA42 ,  2H092NA07 ,  2H092NA22 ,  2H092NA25 ,  2H092NA27 ,  2H092NA28 ,  2H092RA05 ,  5F052AA02 ,  5F052AA24 ,  5F052CA07 ,  5F052DA02 ,  5F052DA03 ,  5F052DA10 ,  5F052DB01 ,  5F052DB02 ,  5F052DB03 ,  5F052DB07 ,  5F052FA24 ,  5F110AA01 ,  5F110BB02 ,  5F110BB04 ,  5F110CC08 ,  5F110DD02 ,  5F110DD03 ,  5F110DD13 ,  5F110DD14 ,  5F110DD15 ,  5F110EE01 ,  5F110EE03 ,  5F110EE04 ,  5F110EE14 ,  5F110EE23 ,  5F110EE43 ,  5F110EE44 ,  5F110FF01 ,  5F110FF02 ,  5F110FF03 ,  5F110FF04 ,  5F110FF09 ,  5F110FF30 ,  5F110GG02 ,  5F110GG03 ,  5F110GG04 ,  5F110GG13 ,  5F110GG25 ,  5F110GG32 ,  5F110GG34 ,  5F110GG43 ,  5F110GG44 ,  5F110GG45 ,  5F110GG47 ,  5F110GG52 ,  5F110GG55 ,  5F110HJ01 ,  5F110HJ04 ,  5F110HJ13 ,  5F110HJ18 ,  5F110HJ23 ,  5F110HL04 ,  5F110HL06 ,  5F110HM15 ,  5F110NN12 ,  5F110NN22 ,  5F110NN23 ,  5F110NN40 ,  5F110PP02 ,  5F110PP03 ,  5F110PP10 ,  5F110PP34 ,  5F110QQ04 ,  5F110QQ05 ,  5F110QQ12 ,  5F110QQ24 ,  5F110QQ25 ,  5F110QQ28

引用特許：

審査官引用 (5件)

• 薄膜トランジスタの製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-054404   出願人：ソニー株式会社
• 薄膜トランジスタ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-125283   出願人：ソニー株式会社
• 薄膜状絶縁ゲイト型半導体装置およびその作製方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-220594   出願人：株式会社半導体エネルギー研究所
• 半導体装置及びその製造方法、並びに薄膜トランジスタ及びその製造方法、並びに液晶表示装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-323302   出願人：シャープ株式会社
• 半導体装置およびその作製方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-118683   出願人：シャープ株式会社, 株式会社半導体エネルギー研究所