特許
J-GLOBAL ID：200903056436648961

半導体装置の製造方法、半導体装置

発明者：
中嶋 裕明

中嶋 裕明 について


出願人/特許権者：
シャープ株式会社

シャープ株式会社 について


代理人 (1件)： 野河 信太郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-040556
公開番号（公開出願番号）：特開2006-228947
出願日： 2005年02月17日
公開日（公表日）： 2006年08月31日
要約：
【課題】簡易な方法により、導電体を確実に充填して貫通電極を形成することができる半導体装置の製造方法を提供すること。【解決手段】本発明の半導体装置の製造方法は、(1)第1支持体を基板表面側に取り付ける工程と、(2)基板をその裏面側から薄化する工程と、(3)第1支持体を基板から取り外す工程と、(4)開口部を有する第2支持体を基板裏面側に取り付ける工程と、(5)基板表面に第1絶縁膜を形成する工程と、(6)第2支持体の開口部に繋がる貫通孔を基板に形成する工程と、(5)第2絶縁膜を基板の貫通孔内部に形成する工程と、(7)基板の貫通孔内部に導電体を充填する工程を備えることを特徴とする。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
(1)第1支持体を基板表面側に取り付ける工程と、(2)基板をその裏面側から薄化する工程と、(3)第1支持体を基板から取り外す工程と、(4)開口部を有する第2支持体を基板裏面側に取り付ける工程と、(5)基板表面に第1絶縁膜を形成する工程と、(6)第2支持体の開口部に繋がる貫通孔を基板に形成する工程と、(7)第2絶縁膜を基板の貫通孔内部に形成する工程と、(8)基板の貫通孔内部に導電体を充填する工程を備えることを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (5件)：
H01L 23/52 ,  H01L 21/320 ,  H01L 25/18 ,  H01L 25/07 ,  H01L 25/065
FI (2件)：
H01L21/88 J ,  H01L25/08 B
Fターム (28件)：
5F033JJ11 ,  5F033JJ32 ,  5F033JJ33 ,  5F033KK11 ,  5F033KK32 ,  5F033KK33 ,  5F033MM02 ,  5F033MM12 ,  5F033MM13 ,  5F033MM30 ,  5F033NN05 ,  5F033NN07 ,  5F033PP06 ,  5F033PP15 ,  5F033QQ07 ,  5F033QQ09 ,  5F033QQ13 ,  5F033QQ24 ,  5F033QQ26 ,  5F033QQ27 ,  5F033QQ48 ,  5F033RR04 ,  5F033RR06 ,  5F033RR21 ,  5F033RR22 ,  5F033SS15 ,  5F033SS21 ,  5F033TT07
引用特許：
出願人引用 (3件) 審査官引用 (2件)

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