特許
J-GLOBAL ID：200903013251648611

半導体装置およびその製造方法

発明者：
土津田 義久

土津田 義久 について

, 
木村 敏夫

木村 敏夫 について

, 
栗本 秀行

栗本 秀行 について


出願人/特許権者：
シャープ株式会社

シャープ株式会社 について


代理人 (3件)： 原 謙三 ,  木島 隆一 ,  金子 一郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-123773
公開番号（公開出願番号）：特開2004-327910
出願日： 2003年04月28日
公開日（公表日）： 2004年11月18日
要約：
【課題】導通が良好な貫通電極を有する半導体装置、およびその製造方法を提供する。【解決手段】半導体基板1と、該半導体基板2の表面に形成され、フィールド酸化膜開口部を有するフィールド酸化膜2と、フィールド酸化膜2上に形成されている電極パッド4と、上記フィールド酸化膜開口部および上記半導体基板1に形成されている孔を介して上記電極パッド4に電気的に接続されている貫通電極15とを有する半導体装置である。上記孔は、上記半導体基板1の垂直方向から見たとき、上記開口部内に形成されている。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
半導体基板と、 該半導体基板の表面に形成され、フィールド酸化膜開口部を有するフィールド酸化膜と、 フィールド酸化膜上に形成されている電極と、 上記フィールド酸化膜開口部および上記半導体基板に形成されている孔を介して上記電極に電気的に接続されている貫通電極とを有し、 上記孔は、上記半導体基板の垂直方向から見たとき、上記フィールド酸化膜開口部内に形成されていることを特徴とする半導体装置。
IPC (5件)：
H01L21/3205 ,  H01L21/60 ,  H01L25/065 ,  H01L25/07 ,  H01L25/18
FI (4件)：
H01L21/88 J ,  H01L21/60 311Q ,  H01L21/88 T ,  H01L25/08 B
Fターム (38件)：
5F033HH08 ,  5F033HH09 ,  5F033HH11 ,  5F033HH12 ,  5F033HH18 ,  5F033JJ08 ,  5F033JJ11 ,  5F033JJ12 ,  5F033JJ18 ,  5F033MM05 ,  5F033MM08 ,  5F033MM30 ,  5F033NN05 ,  5F033PP15 ,  5F033PP19 ,  5F033PP26 ,  5F033PP27 ,  5F033PP33 ,  5F033QQ08 ,  5F033QQ09 ,  5F033QQ10 ,  5F033QQ11 ,  5F033QQ46 ,  5F033RR04 ,  5F033RR05 ,  5F033RR06 ,  5F033RR21 ,  5F033SS10 ,  5F033SS11 ,  5F033SS21 ,  5F033VV00 ,  5F033VV07 ,  5F033XX02 ,  5F033XX03 ,  5F033XX28 ,  5F044QQ07 ,  5F044RR03 ,  5F044RR06
引用特許：
審査官引用 (6件)
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