特許
J-GLOBAL ID：200903023462745503

貫通電極構造およびその製造方法、半導体チップならびにマルチチップ半導体装置

発明者：
住川 雅人

住川 雅人 について

, 
村山 里奈

村山 里奈 について


出願人/特許権者：
シャープ株式会社

シャープ株式会社 について


代理人 (3件)： 山崎 宏 ,  前田 厚司 ,  仲倉 幸典
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-189413
公開番号（公開出願番号）：特開2005-026405
出願日： 2003年07月01日
公開日（公表日）： 2005年01月27日
要約：
【課題】高速信号の遅れや波形の乱れを抑制できる貫通電極構造と、その製造方法を提供すること。【解決手段】半導体チップ11,12の半導体基板および絶縁膜31を貫通する孔内に、半導体チップ11,12の厚み方向に延在する略円筒形の金属プラグ22と、この金属プラグ22の外周に配置されて有機樹脂からなる筒状の絶縁層23とを配置して、貫通電極構造を構成する。絶縁層23を、キシリレンポリマーで形成することにより、貫通電極構造のキャパシタンスを効果的に低減して、信号の劣化が低減できると共に、高速信号伝送が可能になる。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
半導体基板を貫通する貫通孔と、 上記貫通孔内に形成され、この貫通孔の軸方向に延在する金属プラグと、 上記貫通孔内に形成され、上記金属プラグの外側に位置すると共に有機樹脂からなる絶縁層と を備えることを特徴とする貫通電極構造。
IPC (2件)：
H01L21/3205 ,  H01L23/12
FI (2件)：
H01L21/88 J ,  H01L23/12 501P
Fターム (32件)：
5F033HH07 ,  5F033HH11 ,  5F033HH23 ,  5F033JJ11 ,  5F033JJ13 ,  5F033JJ14 ,  5F033JJ33 ,  5F033MM05 ,  5F033MM30 ,  5F033NN05 ,  5F033PP01 ,  5F033PP04 ,  5F033PP06 ,  5F033PP15 ,  5F033PP26 ,  5F033PP27 ,  5F033PP28 ,  5F033QQ07 ,  5F033QQ09 ,  5F033QQ13 ,  5F033QQ37 ,  5F033QQ48 ,  5F033QQ73 ,  5F033RR21 ,  5F033RR22 ,  5F033SS11 ,  5F033TT06 ,  5F033TT07 ,  5F033VV03 ,  5F033VV05 ,  5F033XX24 ,  5F033XX27
引用特許：
審査官引用 (6件)
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