シリコン半導体基板の化学的気相薄膜成長方法

発明者： , , , ,
出願人/特許権者： ,
代理人 (1件)：木下茂
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-259178
公開番号（公開出願番号）：特開2002-075875
出願日： 2000年08月29日
公開日（公表日）： 2002年03月15日
要約：

【要約】【課題】成膜温度の低温化が可能となり、シリコン半導体基板のスリップ転位の発生を抑止でき、従来の薄膜と同等あるいはそれ以上の品質を有する薄膜を得ることができる化学的気相薄膜成長方法を提供する。【解決手段】回転するシリコン半導体基板面に対して、上方から原料ガスを流下供給する回転式気相薄膜成長装置を用いて、前記シリコン半導体基板面上に薄膜を形成する化学的気相薄膜成長方法において、前記薄膜を形成する原料ガスの有効成分としてモノシランガスを用い、2.7×102 〜6.7×103 Paの減圧下で、かつ前記シリコン半導体基板の回転数を500〜2000min-1、反応温度を600〜800°C下で、薄膜成長反応を行う。

請求項（抜粋）：

回転するシリコン半導体基板面に対して、上方から原料ガスを流下供給する回転式気相薄膜成長装置を用いて、前記シリコン半導体基板面上に薄膜を形成する化学的気相薄膜成長方法において、前記薄膜を形成する原料ガスの有効成分としてモノシランガスを用い、2.7×102 〜6.7×103 Paの減圧下で、かつ前記シリコン半導体基板の回転数を500〜2000min-1、反応温度を600〜800°Cとして、薄膜成長反応を行うことを特徴とするシリコン半導体基板の化学的気相薄膜成長方法。

IPC (3件)：

H01L 21/205 , C23C 16/24 , C30B 29/06 504

FI (3件)：

H01L 21/205 , C23C 16/24 , C30B 29/06 504 D

Fターム (34件)：

4G077AA03 , 4G077BA04 , 4G077DB04 , 4G077EA02 , 4G077EA05 , 4G077EA10 , 4G077HA06 , 4K030AA06 , 4K030BA29 , 4K030BB02 , 4K030CA04 , 4K030EA01 , 4K030FA10 , 4K030GA06 , 4K030JA05 , 4K030JA09 , 4K030JA10 , 4K030JA12 , 4K030JA20 , 4K030KA04 , 4K030LA15 , 5F045AA03 , 5F045AC01 , 5F045AD10 , 5F045AD11 , 5F045AD12 , 5F045AE25 , 5F045AF03 , 5F045BB13 , 5F045DP03 , 5F045DP28 , 5F045EE12 , 5F045EM10 , 5F045GB19

引用特許：

審査官引用 (6件)

凹部内に膜を形成する方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-054196 出願人：株式会社東芝
半導体装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-066036 出願人：株式会社東芝
気相薄膜成長装置及び気相薄膜成長方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-240330 出願人：東芝セラミックス株式会社, 東芝機械株式会社, 株式会社東芝

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