凹部内に膜を形成する方法

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：鈴江武彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-054196
公開番号（公開出願番号）：特開平7-307300
出願日： 1995年03月14日
公開日（公表日）： 1995年11月21日
要約：

【要約】【目的】気相成長方法を採用し、成膜速度の高速化と良好なステップカバレージとを両立させる得る成膜方法を提供する。【構成】処理室14内に設けられたホルダ20の上に、アスペクト比が0.5より大きい凹部を被処理面上に有するウェハSが載置される。ウェハSの表面に垂直な方向より原料ガスSiH4 とキャリアガスH2 との混合物である処理ガスが一様に供給される。処理室14内の圧力は1Torr以上に設定される。ウェハSの被処理面の温度は600°C〜800°Cに設定される。これら条件下で、気相成長方法により凹部内にポリシリコン膜が形成される。成膜中、モータ22の出力でホルダ20を介してウェハSが500rpm以上で回転される。

請求項（抜粋）：

基板の被処理面上にある凹部内に膜を形成する方法であって、容器の処理空間内に前記被処理面が露出するように、前記基板を支持部材上に配置する工程と、前記処理空間内に処理ガスを供給し、前記処理空間内を排気し、且つ前記被処理面を加熱しながら、気相成長方法により前記凹部内に前記膜を形成する工程と、前記処理ガスは気相反応及び表面反応により前記膜の材料を提供する原料ガスを含むことと、前記膜の形成中、前記基板を500rpm以上で回転させる工程と、を具備することを特徴とする方法。

IPC (4件)：

H01L 21/205 , C23C 16/44 , C23C 16/46 , H01L 21/3065

引用特許：

審査官引用 (7件)

特表平7-507842
気相成長方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平3-314414 出願人：東芝機械株式会社
プラズマ気相成長装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平3-238529 出願人：日本電気株式会社

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