特許
J-GLOBAL ID：200903056454963602
電界吸収型光変調器、電界吸収型光変調器付き半導体集積素子、それらを用いたモジュール及び電界吸収型光変調器付き半導体集積素子の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-135486
公開番号（公開出願番号）：特開2004-341092
出願日： 2003年05月14日
公開日（公表日）： 2004年12月02日
要約：
【課題】ホール及び電子のホールアップを抑制し、チャーピング特性が良好な送信用信号光源を提供することを目的とする。【解決手段】n側GRIN-SCH層4は、n型InP基板側から厚さ20nmの1.0Q層4a、厚さ20nmの1.1Q層4b、厚さ20nmの1.2Q層4cの3層で構成される。MQW吸収層5は、各々の厚さが10nmである8層の井戸層5Aと各々の厚さが5nmである障壁層5Bで構成される。障壁層5Bはn型InP基板側から1〜4層は厚さ5nmの1.2Qで構成され、5〜7層は厚さ5nmの1.15μm帯相当のInGaAlAsで構成される。p側GRIN-SCH層6は、前記MQW吸収層5から図1に示したp型InP上部クラッド層7へ向かって、組成が1.15μm帯から1.0μm帯相当のInGaAlAsへと連続的に変化するように構成される。【選択図】 図2
請求項（抜粋）：
第1の導電型の半導体基板上に、少なくとも下側分離光閉込め層、吸収層、上側分離光閉込め層及び前記第1の導電型とは逆の導電型である第2の導電型のクラッド層を含む積層体を有し、前記積層体の上方には第2の導電型の電極、前記半導体基板の前記積層体を形成した面と反対側の面には第1の導電型の電極を有する電界吸収型光変調器において、前記第1または第2の導電型はp型またはn型であって、p側の分離光閉込め層の一部をInGaAlAs層で形成し、n側の分離光閉込め層の一部をInGaAsP層で形成することを特徴とする電界吸収型光変調器。
IPC (2件)：
FI (2件)：
G02F1/017 503
, H01S5/026 616
2H079AA02
, 2H079AA13
, 2H079BA01
, 2H079CA05
, 2H079DA16
, 2H079EA07
, 2H079KA18
, 5F073AA64
, 5F073AA74
, 5F073AB21
, 5F073BA01
, 5F073CA12
, 5F073CA15
