カプセル化膜の遮水性能の改善

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：安齋嘉章
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-518097
公開番号（公開出願番号）：特表2008-504114
出願日： 2005年06月06日
公開日（公表日）： 2008年02月14日
要約：

基板上に材料層を低温で堆積するための方法及び装置を記載する。材料層は、その下の材料の熱安定性の悪さから様々なディスプレイ応用例で必要とされる低温処理用のカプセル化層として使用することができる。カプセル化層は、多くのタイプやサイズの基板について表面粗さを低下させ、遮水性を改善し、熱応力を低下させ、高いステップカバレージを付与するために、1つ以上のバリア層材料と1つ以上の低誘電率材料を有する1つ以上の材料層(多層)を含む。従って、このようにして堆積されたカプセル化層は、OLEDデバイス等の様々なディスプレイ装置に関して、優れたデバイス寿命を付与する。加えて、基板上に非晶質炭素材料を低温で堆積するための方法を提供する。非晶質炭素材料を用いて熱応力を低減し、堆積された薄膜が基板から剥落するのを防ぐことができる。

請求項（抜粋）：

処理チャンバ内に基板を設置し、処理チャンバ内に材料層用の前駆体混合物を供給し、材料層の遮水性能を改善するために水素ガスを供給し、基板の温度を約100°C又はそれ以下に制御し、処理チャンバ内でプラズマを発生させ、材料層を基板上に堆積させることを含む基板上に材料層を堆積するための方法。

IPC (7件)：

B01J 19/08 , H05B 33/04 , H05B 33/10 , H01L 51/50 , C01B 21/068 , C01B 31/04 , C23C 16/42

FI (7件)：

B01J19/08 H , H05B33/04 , H05B33/10 , H05B33/14 A , C01B21/068 Y , C01B31/04 101Z , C23C16/42

Fターム (47件)：

3K107AA01 , 3K107BB01 , 3K107CC23 , 3K107CC45 , 3K107DD12 , 3K107DD13 , 3K107DD14 , 3K107DD15 , 3K107DD16 , 3K107EE48 , 3K107EE50 , 3K107FF00 , 3K107FF06 , 3K107FF08 , 3K107FF15 , 3K107FF17 , 3K107GG03 , 3K107GG28 , 3K107GG32 , 4G075AA24 , 4G075BC04 , 4G075CA47 , 4G075CA51 , 4G075DA02 , 4G075DA18 , 4G146AA01 , 4G146AA05 , 4G146AB07 , 4G146AD28 , 4G146BA12 , 4G146BC25 , 4G146DA16 , 4K030AA06 , 4K030AA09 , 4K030AA13 , 4K030AA17 , 4K030AA18 , 4K030BA27 , 4K030BA40 , 4K030BB12 , 4K030CA06 , 4K030CA17 , 4K030FA03 , 4K030JA01 , 4K030JA10 , 4K030KA18 , 4K030LA18

引用特許：

審査官引用 (5件)

特開昭61-218135
シリコン-ゲルマニウムゲートを持つトランジスタを得るための方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-178749 出願人：フランステレコム
薄膜半導体素子およびその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2001-395843 出願人：カシオ計算機株式会社

全件表示

前のページに戻る