特許

J-GLOBAL ID：200903056464466593

受光素子

発明者： 荻本 泰史 ,  中西 健司 ,  小嶋 邦男
出願人/特許権者： シャープ株式会社
代理人 (1件)： 小池 隆彌
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-121100
公開番号（公開出願番号）：特開2000-312023
出願日： 1999年04月28日
公開日（公表日）： 2000年11月07日
要約：

【要約】【課題】 光照射による金属絶縁体転移を増幅機能として利用することにより光メモリの高密度化における信号量の減少、光源の短波長化に対応した受光感度を備え、かつ、光メモリ用受光素子に適した高速かつ低電圧動作が可能な受光素子を提供する。【解決手段】 基板1上に下部電極2、光電変換層3、透明上部電極4が形成された構造において該光電変換層3が絶縁体金属転移を示す酸化物薄膜からなり、該光電変換層3の電極間方向の電気伝導率が電極間に垂直方向の電気伝導率よりも高く、かつまた、高温、酸化雰囲気プロセスに耐性があり、光電変換層3の結晶性をアシストする下部電極2から形成されることを特徴とする。

請求項（抜粋）：

基板上に下部電極、光電変換層、透明上部電極をその順に積層した構造において、該光電変換層が絶縁体金属転移を示す酸化物薄膜からなることを特徴とする受光素子。

FI (2件)：

H01L 31/10 A ,  H01L 31/10 H

Fターム (10件)：

5F049MA20 ,  5F049MB01 ,  5F049PA06 ,  5F049PA07 ,  5F049PA11 ,  5F049PA20 ,  5F049SE04 ,  5F049SS01 ,  5F049SS02 ,  5F049WA03

引用特許：

審査官引用 (4件)

• マンガン酸化物材料における光誘起相転移を用いたスイッチング素子及びメモリー素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-064000   出願人：工業技術院長, 技術研究組合オングストロームテクノロジ研究機構
• スイッチング素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-197624   出願人：鐘淵化学工業株式会社
• 強誘電体結晶薄膜被覆基板、その製造方法及び強誘電体結晶薄膜被覆基板を用いた強誘電体薄膜デバイス
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-350258   出願人：シャープ株式会社
• 強誘電体キャパシタデバイスおよびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-184131   出願人：シャープ株式会社, バージニアテックインテレクチュアルプロパティースインコーポレイテッド

引用文献：

審査官引用 (3件)

• "Spatial Properties of the Photoinduced Transition in Pr0.7Ca0.3MnO3"
• "Photoinduced Insulator-to-Metal Transition in a Perovskite Manganite"
• "Spatial Properties of the Photoinduced Transition in Pr0.7Ca0.3MnO3"