半導体ウエーハの平坦化法

発明者： , , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：坂口博 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-191327
公開番号（公開出願番号）：特開平11-074243
出願日： 1998年07月07日
公開日（公表日）： 1999年03月16日
要約：

【要約】【課題】 CMPによる半導体ウエーハの平坦化における、効率的な洗浄方法を提供する。【解決手段】トリアルカノールアミン水溶液をウエーハ洗浄液として使用した洗浄によって、残留スラリはほとんど除去された。これにより、m1-m1(金属・金属)の短絡が著しく減少することによって示されるように、半導体装置の故障が大幅に減少したウエーハが生産される。

請求項（抜粋）：