特許

J-GLOBAL ID：200903056468346436

半導体ウエーハの平坦化法

発明者： クック・フィン ,  ランガラージャン・ジャガンナータン ,  アマルナート・ジャー ,  トマス・マーチン ,  キース・ポープ ,  トマス・サンドウィック
出願人/特許権者： インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレイション
代理人 (1件)： 坂口 博 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-191327
公開番号（公開出願番号）：特開平11-074243
出願日： 1998年07月07日
公開日（公表日）： 1999年03月16日
要約：

【要約】【課題】 CMPによる半導体ウエーハの平坦化における、効率的な洗浄方法を提供する。【解決手段】 トリアルカノールアミン水溶液をウエーハ洗浄液として使用した洗浄によって、残留スラリはほとんど除去された。これにより、m1-m1(金属・金属)の短絡が著しく減少することによって示されるように、半導体装置の故障が大幅に減少したウエーハが生産される。

請求項（抜粋）：

トリアルカノールアミン水溶液を含む洗浄液を使用する洗浄工程を含む、CMPによる半導体ウエーハの平坦化法。

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 洗浄処理剤
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-152834   出願人：和光純薬工業株式会社
• 化学機械研磨用スラリーおよびその製造方法ならびにこれを用いた研磨方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-127802   出願人：ソニー株式会社
• 基板の洗浄方法及びそれに用いるアルカリ性洗浄組成物
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-110740   出願人：三菱化学株式会社
• 特開昭63-050837