特許
J-GLOBAL ID:200903056480515049

高純度テレフタル酸の製造装置および方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 作田 康夫
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平10-343837
公開番号(公開出願番号):特開2000-169428
出願日: 1998年12月03日
公開日(公表日): 2000年06月20日
要約:
【要約】【課題】本発明の目的は、粗テレフタル酸を含むスラリーを、所定の反応条件下で水素と反応させ、フラッシュ蒸発冷却法により段階的に結晶化する過程において発生する熱を効率的にエネルギー回収できるテレフタル酸製造方法及び装置を提供する事にある。【解決手段】上記の結晶化の過程において発生する蒸気のうち最終段にて発生する最低圧力レベルの蒸気を後段の固液分離セクションの再スラリー化の為に供給される水を加熱昇温する熱源として利用することにより達成される。
請求項(抜粋):
粗テレフタル酸を水に溶解し、所定の反応条件下で水素と反応させ、フラッシュ蒸発冷却法により段階的に結晶化し、その後、固液分離セクションにおいて、高純度テレフタル酸と母液とを分離し、さらに乾燥セクションにて乾燥させて高純度テレフタル酸を製造する際に、フラッシュ蒸発冷却法に依り段階的に発生する蒸気の中で、最終段にて発生する最低圧力レベルの蒸気を効率的に固液分離セクションに利用し、エネルギーの回収を行うことを特徴とする高純度テレフタル酸の製造方法。
IPC (3件):
C07C 63/26 ,  C07C 51/44 ,  C07C 51/47
FI (3件):
C07C 63/26 J ,  C07C 51/44 ,  C07C 51/47
Fターム (7件):
4H006AA02 ,  4H006AD15 ,  4H006AD17 ,  4H006BB31 ,  4H006BE20 ,  4H006BJ50 ,  4H006BS30
引用特許:
審査官引用 (6件)
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