液晶表示装置及びその製造方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (4件)：前田弘 , 小山廣毅 , 竹内祐二 , 手島勝
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-335974
公開番号（公開出願番号）：特開2004-170656
出願日： 2002年11月20日
公開日（公表日）： 2004年06月17日
要約：

【課題】液晶表示装置において、アクティブマトリクス基板に配置される半導体膜へ照射される光を効果的に遮蔽する。【解決手段】アクティブマトリクス基板と対向基板を備え、両基板間に液晶層を有する液晶表示装置であって、アクティブマトリクス基板上には、半導体膜104が配置され、透明基板101の下方から半導体膜104に入射される光を遮蔽する下部遮光膜102と、側方から半導体膜104のチャネル領域に入射される光を遮蔽する側方遮光膜113と、透明基板の上方から半導体膜104のチャネル領域に入射される光を遮蔽する中間遮光膜108と、ソース電極及びドレイン電極の外周形状に対応して形成された上部遮光膜112とを備える。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

透明基板上にマトリクス状に薄膜トランジスタを配置したアクティブマトリクス基板と対向基板を備え、両基板間に液晶層を有する液晶表示装置において、アクティブマトリクス基板上には、ソース領域、チャネル領域及びドレイン領域を備えた半導体膜が上記透明基板上に絶縁層を介して配置され、透明基板の下方から半導体膜に入射される光を遮蔽する下部遮光膜が、半導体膜と透明基板との間に配置され、半導体膜の上方からチャネル領域に入射される光を遮蔽する中間遮光膜がチャネル領域の直上に層間絶縁膜を介してに配置され、上記半導体膜のソース領域及びドレイン領域にそれぞれソース電極及びドレイン電極が接続され、該ソース電極及びドレイン電極の外周形状に対応して形成された上部遮光膜がソース電極及びドレイン電極の上方に配置されていることを特徴とする液晶表示装置。

IPC (4件)：

G02F1/1345 , G02F1/1368 , H01L21/336 , H01L29/786

FI (5件)：

G02F1/1345 , G02F1/1368 , H01L29/78 619B , H01L29/78 616A , H01L29/78 612Z

Fターム (47件)：

2H092GA61 , 2H092JA24 , 2H092JA28 , 2H092JB51 , 2H092JB56 , 2H092NA11 , 2H092PA13 , 2H092RA05 , 5F110AA06 , 5F110AA21 , 5F110BB01 , 5F110CC02 , 5F110DD03 , 5F110EE08 , 5F110EE09 , 5F110EE28 , 5F110FF22 , 5F110FF29 , 5F110GG02 , 5F110GG03 , 5F110GG04 , 5F110GG12 , 5F110GG13 , 5F110GG15 , 5F110GG25 , 5F110GG52 , 5F110HJ13 , 5F110HL03 , 5F110HL23 , 5F110HL24 , 5F110HM15 , 5F110NN03 , 5F110NN23 , 5F110NN24 , 5F110NN35 , 5F110NN40 , 5F110NN41 , 5F110NN42 , 5F110NN46 , 5F110NN48 , 5F110NN54 , 5F110NN55 , 5F110NN57 , 5F110PP03 , 5F110QQ11 , 5F110QQ19 , 5F110QQ21

引用特許：

審査官引用 (3件)

アクティブマトリクス基板
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-238596 出願人：シャープ株式会社
アクティブマトリクス基板およびこれを用いた電気光学装置と電子機器
公報種別：公開公報出願番号：特願2000-288458 出願人：セイコーエプソン株式会社
液晶表示装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2000-017071 出願人：日本電気株式会社

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