特許
J-GLOBAL ID：200903056523867092

光半導体装置

発明者：
大塚 一昭

大塚 一昭 について

, 
黒木 敏宏

黒木 敏宏 について


出願人/特許権者：
株式会社東芝

株式会社東芝 について


代理人 (1件)： 堀口 浩
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-142663
公開番号（公開出願番号）：特開2008-300460
出願日： 2007年05月29日
公開日（公表日）： 2008年12月11日
要約：
【課題】複数の蛍光体を効率よく発光させ、且つ発光した光によるパッケージの劣化の少ない光半導体装置を提供する。【解決手段】半導体発光素子11と、凹部12を有し、凹部12に半導体発光素子11を収納するパッケージ13と、半導体発光素子11の凹部12の開口側に形成され、半導体発光素子11からの光により励起され、半導体発光素子11の発光波長より長い第1の波長の蛍光を発する第1蛍光体層14と、半導体発光素子11の凹部12の底面側に形成され、半導体発光素子11からの光により励起され、第1の波長より長い第2の波長の蛍光を発する第2蛍光体層15と、半導体発光素子11の側面に形成され、半導体発光素子11からの光により励起され、第1の波長より長い第3の波長の蛍光を発する第3蛍光体層16と、を具備する。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
半導体発光素子と、 凹部を有し、前記凹部に前記半導体発光素子を収納するパッケージと、 前記半導体発光素子に対して前記凹部の開口側に形成され、前記半導体発光素子からの光により励起され、前記半導体発光素子の発光波長より長い第1の波長の蛍光を発する第1蛍光体層と、 前記半導体発光素子に対して前記凹部の底面側に形成され、前記半導体発光素子からの光により励起され、前記第1の波長より長い第2の波長の蛍光を発する第2蛍光体層と、 前記半導体発光素子の側面に形成され、前記半導体発光素子からの光により励起され、前記第1の波長より長い第3の波長の蛍光を発する第3蛍光体層と、 を具備することを特徴とする光半導体装置。
IPC (1件)：
H01L 33/00
FI (1件)：
H01L33/00 N
Fターム (9件)：
5F041AA11 ,  5F041AA44 ,  5F041CA40 ,  5F041CA46 ,  5F041DA19 ,  5F041DA34 ,  5F041DA43 ,  5F041EE25 ,  5F041FF11
引用特許：
出願人引用 (2件) 審査官引用 (6件)
全件表示

前のページに戻る

TOP

BOTTOM