マスクの製造方法、露光方法及びデバイス製造方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：藤元亮輔
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-167769
公開番号（公開出願番号）：特開2004-012932
出願日： 2002年06月07日
公開日（公表日）： 2004年01月15日
要約：

【課題】解像力を改善するために、マスクパターンと照明条件を比較的簡単に設定する方法を提供する。【解決手段】所望のパターンと、当該所望のパターンよりも寸法の小さな補助パターンとが配列されたマスクを、前記所望のパターンが解像され、かつ、前記補助パターンの解像が抑制されるように、複数種類の光で照明して前記マスクを経た光を被露光体に投影光学系を介して投影する露光方法に適した前記マスクの製造方法であって、前記所望のパターンの寸法を設定するステップと、前記被露光体に塗布されるレジストの特性に応じて、前記所望のパターンの前記寸法を調節するステップを有することを特徴とする方法を提供する。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

所望のパターンと、当該所望のパターンよりも寸法の小さな補助パターンとが配列されたマスクを、前記所望のパターンが解像され、かつ、前記補助パターンの解像が抑制されるように、複数種類の光で照明して前記マスクを経た光を被露光体に投影光学系を介して投影する露光方法に適した前記マスクの製造方法であって、前記所望のパターンの寸法を設定するステップと、前記被露光体に塗布されるレジストの特性に応じて、前記所望のパターンの前記寸法を調節するステップを有することを特徴とする方法。

IPC (3件)：

G03F1/08 , G03F7/20 , H01L21/027

FI (4件)：

G03F1/08 A , G03F1/08 D , G03F7/20 521 , H01L21/30 502P

Fターム (5件)：

2H095BB01 , 2H095BB02 , 2H095BB36 , 2H095BC08 , 2H095BC09

引用特許：

審査官引用 (4件)

半導体集積回路装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2000-313513 出願人：株式会社日立製作所
パターン形成方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-053290 出願人：日本電気株式会社
投影露光装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-342316 出願人：株式会社ニコン

全件表示

前のページに戻る