特許
J-GLOBAL ID：200903056605618813

半導体装置及びその製造方法

発明者：
鬼頭 傑

鬼頭 傑 について

, 
佐藤 力

佐藤 力 について


出願人/特許権者：
株式会社東芝

株式会社東芝 について


代理人 (1件)： 外川 英明
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-103303
公開番号（公開出願番号）：特開2000-357779
出願日： 2000年04月05日
公開日（公表日）： 2000年12月26日
要約：
【要約】【課題】 トレンチ側壁酸化膜の膜厚をほぼ均一とすること。【解決手段】 本発明にかかる半導体装置の製造方法は、トレンチ形成後に熱工程を経ることによりトレンチをほぼ八面体とし、熱酸化膜を形成することにより酸化膜の膜厚をほぼ一定とできる。
請求項（抜粋）：
半導体基板にトレンチを形成する工程と、前記トレンチを非酸化性雰囲気中で熱処理する工程と、前記トレンチの基板表面から所定の深さまでの表面に選択的に熱酸化膜を形成する工程と、前記トレンチ内にキャパシタ絶縁膜を形成する工程と、前記トレンチ内にストレージ電極を形成する工程と、前記半導体基板上に、ソース/ドレイン拡散層のうち一方が前記ストレージ電極と電気的に接続されたトランジスタを形成する工程と、を具備することを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (2件)：
H01L 27/108 ,  H01L 21/8242
Fターム (6件)：
5F083AD17 ,  5F083AD60 ,  5F083JA04 ,  5F083PR12 ,  5F083PR18 ,  5F083PR33
引用特許：
出願人引用 (4件)
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