特許
J-GLOBAL ID：200903056608089196

スパッタリング用ターゲットおよび皮膜形成方法

発明者：
中村 祐一郎

中村 祐一郎 について

, 
高橋 一成

高橋 一成 について


出願人/特許権者：
株式会社ジャパンエナジー

株式会社ジャパンエナジー について


代理人 (1件)： 小越 勇 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-082451
公開番号（公開出願番号）：特開平10-251848
出願日： 1997年03月17日
公開日（公表日）： 1998年09月22日
要約：
【要約】【課題】 スパッタリングにおけるエロージョン部が急峻とならず、またパーティクルの発生が少ない効率的なマグネトロンスパッタリングに適用できる高寿命ターゲットおよび被覆方法の提供。【解決手段】 ターゲットの一部または全部がシリコンを固溶する常磁性または弱磁性のニッケル合金またはコバルト合金から構成されるターゲットおよびこれらのターゲットを用いて基板にニッケルシリサイドまたはコバルトシリサイドを被覆する方法
請求項（抜粋）：
ターゲットの一部または全部を構成する主要材料がシリコンを固溶するニッケル合金またはコバルト合金であることを特徴とするスパッタリング用タ-ゲット。
IPC (6件)：
C23C 14/34 ,  C22C 19/00 ,  C22C 19/03 ,  C22C 19/07 ,  H01L 21/203 ,  H01L 21/285
FI (6件)：
C23C 14/34 A ,  C22C 19/00 Q ,  C22C 19/03 M ,  C22C 19/07 M ,  H01L 21/203 S ,  H01L 21/285 S
引用特許：
審査官引用 (7件)
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