電子パワー素子の製造方法、及びそれにより得られる電子パワー素子

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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：川口義雄 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-204556
公開番号（公開出願番号）：特開2002-093977
出願日： 2001年07月05日
公開日（公表日）： 2002年03月29日
要約：

【要約】【課題】簡単かつ迅速に実施でき、丈夫で十分な放熱を保障する電子部品を得ることができる、電子パワー素子の製造方法を提供する。【解決手段】少なくとも一つの導電層20と、少なくとも一つの半導体パワー回路2とが連続して基板18上に配置され、金属膜12をメタライゼーションすることにより金属接続タブ14が、導電層20から離れる方向を向く半導体回路2の面に設けられている。その後、少なくとも一つのはんだ要素16が、このようにして得られる各金属膜12上に配置され、少なくとも一つの導電部材26が金属膜12から離れた側の各はんだ要素16上に付けられ、各はんだ要素は、各導電部材26を各金属膜12に固定するように溶かされる。

請求項（抜粋）：

少なくとも一つの導電層(20)と、少なくとも一つの半導体パワー回路(2)とが連続して基板(18)上に配置され、金属接続タブ(14)が、導電層(20)から離れる方向を向く半導体パワー回路(2)の面上に設けられる、電子パワー素子の製造方法であって、前記金属接続タブ(14)を前記半導体パワー回路(2)の面に付けることからなるステップが、メタライゼーションにより金属膜(12)を堆積させるステップからなり、少なくとも一つのはんだ要素(16)が、このようにして得られる各金属膜(12)上に配置され、導電部材(26)が、金属膜(12)から離れた側の各はんだ要素(16)上に付けられ、各はんだ要素は、各導電部材(26)を各金属膜(12)に固定するように溶かされることを特徴とする,電子パワー素子の製造方法。

IPC (4件)：

H01L 23/48 , H01L 25/065 , H01L 25/07 , H01L 25/18

FI (3件)：

H01L 23/48 G , H01L 23/48 S , H01L 25/08 Z

引用特許：

審査官引用 (6件)

パワー半導体モジュール及びその実装方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-187446 出願人：株式会社日立製作所
半導体素子
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-280777 出願人：株式会社東芝
特開昭52-064285

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