特許
J-GLOBAL ID：200903056645274769
半導体装置
発明者：
,
,
,
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
日向寺 雅彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2009-160256
公開番号（公開出願番号）：特開2009-224811
出願日： 2009年07月06日
公開日（公表日）： 2009年10月01日
要約：
【課題】オン抵抗と帰還容量との間のトレードオフの関係を改善し、且つ、十分に高い信頼性を有する縦型または横型MOSFET構造の半導体装置を提供する。【解決手段】第1導電型の半導体層と、前記半導体層の表面に選択的に形成された第2導電型の一対のベース領域と、前記一対のベース領域のそれぞれにおいてベース領域内の表面に選択的に形成された第1導電型のソース領域と、前記半導体層の表面において前記一対のベース領域の間に選択的に形成された第2導電型の電界緩和領域と、前記電界緩和領域と前記ベース領域との間に形成され、前記半導体層よりも高い不純物濃度を有する第1導電型の半導体領域と、前記ソース領域のそれぞれと前記電界緩和領域との間の前記ベース領域の表面にゲート絶縁膜を介してそれぞれ設けられた一対のゲート電極と、前記ソース領域に接続されたソース電極と、を備えたことを特徴とする半導体装置が提供される。【選択図】図4
請求項（抜粋）：
第1導電型の半導体層と、
前記半導体層の表面に選択的に形成された第2導電型の一対のベース領域と、
前記一対のベース領域のそれぞれにおいてベース領域内の表面に選択的に形成された第1導電型のソース領域と、
前記半導体層の表面において前記一対のベース領域の間に選択的に形成された第2導電型の電界緩和領域と、
前記電界緩和領域と前記ベース領域との間に形成され、前記半導体層よりも高い不純物濃度を有する第1導電型の半導体領域と、
前記ソース領域のそれぞれと前記電界緩和領域との間の前記ベース領域の表面にゲート絶縁膜を介してそれぞれ設けられた一対のゲート電極と、
前記ソース領域に接続されたソース電極と、
を備えたことを特徴とする半導体装置。
IPC (1件)：
FI (4件)：
H01L29/78 652J
, H01L29/78 652S
, H01L29/78 652K
, H01L29/78 652D
