特許
J-GLOBAL ID：200903056678110125

分布帰還型半導体レーザ装置

発明者：
高橋 幸司

高橋 幸司 について

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厚主 文弘

厚主 文弘 について

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種谷 元隆

種谷 元隆 について


出願人/特許権者：
シャープ株式会社

シャープ株式会社 について


代理人 (1件)： 梅田 勝
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-045365
公開番号（公開出願番号）：特開平8-242034
出願日： 1995年03月06日
公開日（公表日）： 1996年09月17日
要約：
【要約】【目的】高い素子作製歩留り、良好な単一縦モード特性、低電流動作、素子特性の安定を実現する短波長の利得結合分布帰還型半導体レーザを提供する。【構成】デューティ0.5付近の一次回折格子を有する周期的吸収層を有し、利得結合が十分に生じつつ吸収損失が十分に小さくなるように周期的吸収層の厚さが最適に設定されている。活性層と吸収層との禁制帯幅の差が一定値よりも大きい組み合わせとする。
請求項（抜粋）：
活性層近傍に光分布帰還を与える周期構造を備え、該周期構造が、前記活性層から発生する誘導放出光に対する吸収係数が周期的に変化する、周期的吸収層である利得結合分布帰還型半導体レーザにおいて、前記周期的吸収層は前記誘導放出光に対して一次の次数を有するものであり、このとき、前記周期的吸収層の実効的なデューティD(ここで、周期的吸収層が存在する層内において、その周期毎の吸収領域の割合をD(0≦D≦1)とする)が0.4以上0.8以下であり、かつ前記周期的吸収層の厚さが6nm以上30nm以下であることを特徴とする分布帰還型半導体レーザ装置。
引用特許：
出願人引用 (5件)
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審査官引用 (4件)
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