特許

J-GLOBAL ID：200903056749068664

半導体装置の製造方法

発明者： 相澤 一雄
出願人/特許権者： 日本電気株式会社
代理人 (1件)： 鈴木 章夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-252328
公開番号（公開出願番号）：特開平7-086210
出願日： 1993年09月14日
公開日（公表日）： 1995年03月31日
要約：

【要約】【目的】 アルミスパイクを防止する一方で製造の繁雑化を回避し、かつ高アスペクト比のコンタクトホールへのアルミニウム系合金の埋め込みを可能にした半導体装置の製造方法を得る。【構成】 シリコン基板1に設けた絶縁膜3にコンタクトホール4を開口した後、絶縁膜3の表面に窒化チタンのバリアメタル5と、シリコン膜6と、アルミニウム系合金7を順次形成し、その後加熱処理してアルミニウム系合金7とシリコン膜6とを反応させながらコンタクトホール4内に埋め込んでいる。アルミニウム系合金7がシリコン膜6と反応することで、バリアメタル5との濡れ性が改善され、アルミニウム系合金7は高アスペクト比のコンタクトホール4の内面に密接された状態で埋め込まれる。

請求項（抜粋）：

半導体基板に設けた絶縁膜にコンタクトホールを開口する工程と、このコンタクトホールを含む前記絶縁膜の表面にバリアメタルを形成する工程と、前記バリアメタルの表面にシリコン膜を形成する工程と、このシリコン膜上にアルミニウム系合金を形成する工程と、加熱処理して前記アルミニウム系合金とシリコン膜とを反応させながら前記コンタクトホール内に埋め込む工程とを含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (4件)：

H01L 21/28 301 ,  H01L 21/28 ,  H01L 21/3205 ,  H01L 21/768

FI (2件)：

H01L 21/88 N ,  H01L 21/90 D

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 半導体装置およびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-172400   出願人：松下電器産業株式会社
• 半導体装置の接続孔及びその形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-019461   出願人：ソニー株式会社
• 半導体装置及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-279437   出願人：日本電気株式会社
• 特開平2-116124