特許
J-GLOBAL ID：200903056753560018

GaN系発光ダイオード

発明者：
吉田 清輝

吉田 清輝 について


出願人/特許権者：
古河電気工業株式会社

古河電気工業株式会社 について


代理人 (1件)： 長門 侃二
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-350440
公開番号（公開出願番号）：特開2000-174337
出願日： 1998年12月09日
公開日（公表日）： 2000年06月23日
要約：
【要約】【課題】 高輝度で発光するGaN系発光ダイオードを提供する。【解決手段】 次式:GaN<SB>1-x-y</SB>As<SB>y</SB>P<SB>x</SB>(ただし、x,yは、0<x<1,0<y<1,0<x+y<1の関係を満足する数を表す)で示されるGaN系化合物半導体から成る50nm以下の微細構造5aが、GaN系化合物半導体とは組成を異にするGaN系化合物半導体から成るマトリックス5bに埋設されている活性層5を有することを特徴とするGaN系発光ダイオードであり、とくに、マトリックスがノンドープInGaNから成るGaN系発光ダイオード。
請求項（抜粋）：
次式:GaN<SB>1-x-y</SB>As<SB>y</SB>P<SB>x</SB>(ただし、x,yは、0<x<1,0<y<1,0<x+y<1の関係を満足する数を表す)で示されるGaN系化合物半導体から成る50nm以下の微細構造が、前記GaN系化合物半導体とは組成を異にする別のGaN系化合物半導体から成るマトリックスに埋設されている活性層を有することを特徴とするGaN系発光ダイオード。
Fターム (8件)：
5F041AA03 ,  5F041CA04 ,  5F041CA05 ,  5F041CA08 ,  5F041CA34 ,  5F041CA40 ,  5F041CA65 ,  5F041CA66
引用特許：
審査官引用 (4件)
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