特許
J-GLOBAL ID:200903056766846492

半導体素子基板及び該素子基板を用いたインクジェットヘッド、及びそれらに用いられる半導体素子基板の電気接続方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (2件): 西山 恵三 ,  内尾 裕一
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2007-328707
公開番号(公開出願番号):特開2009-152367
出願日: 2007年12月20日
公開日(公表日): 2009年07月09日
要約:
【課題】 ILB接続における線膨脹係数の差に起因する電気接続部の接続不良を抑制する。【解決手段】 本発明の半導体素子基板101は、電極パッド106と半導体素子とが形成された半導体素子基板であって、電極パッドを加熱する専用の接続用ヒーター110を、電極パッドを電気接続可能な温度に加熱できる範囲内に配したものである。【選択図】 図1
請求項(抜粋):
電極パッドと半導体素子とが形成された半導体素子基板であって、 前記電極パッドを加熱する専用の接続用ヒーターを、電極パッドを電気接続可能な温度に加熱できる範囲内に配したことを特徴とする半導体素子基板。
IPC (2件):
H01L 21/60 ,  B41J 2/05
FI (2件):
H01L21/60 311R ,  B41J3/04 103B
Fターム (10件):
2C057AF65 ,  2C057AF66 ,  2C057AF93 ,  2C057AG85 ,  2C057AQ02 ,  2C057BA13 ,  5F044MM13 ,  5F044NN03 ,  5F044QQ00 ,  5F044QQ01
引用特許:
出願人引用 (4件)
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