特許
J-GLOBAL ID：200903056803303534

半導体装置及びその製造方法

発明者：
木崎 正康

木崎 正康 について


出願人/特許権者：
カシオ計算機株式会社

カシオ計算機株式会社 について


代理人 (1件)： 杉村 次郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-273948
公開番号（公開出願番号）：特開平10-107084
出願日： 1996年09月26日
公開日（公表日）： 1998年04月24日
要約：
【要約】【課題】 半導体チップを回路基板上に金-金拡散接合により搭載してなる半導体装置において、金-金拡散接合のための金バンプの実質的な高さを容易に高くすることができ、また金-金拡散接合のための熱圧着を比較的小さい圧力で行うことができるようにする。【解決手段】 サブ回路基板1の第1の接続パッド2上の金バンプ10は金ワイヤにより形成されている。一方、半導体チップ11の金バンプ16も金ワイヤにより形成されている。そして、半導体チップ11は、その金バンプ16をサブ回路基板1の金バンプ10に金-金拡散接合されていることにより、サブ回路基板1上に搭載されている。この場合、接合後の両金バンプ10、16の合計高さを50μm程度以上とすることができる。また、金純度の高い金ワイヤにより形成された金バンプ10、16の硬度は比較的低いので、金-金拡散接合のための熱圧着を比較的小さい圧力で行うことができる。
請求項（抜粋）：
半導体チップの接続パッド上に金ワイヤにより形成された金バンプを、回路基板の接続パッド上に金ワイヤにより形成された金バンプに接合したことを特徴とする半導体装置。
IPC (3件)：
H01L 21/60 311 ,  H01L 23/12 ,  H01L 21/321
FI (4件)：
H01L 21/60 311 S ,  H01L 23/12 L ,  H01L 21/92 604 J ,  H01L 21/92 604 R
引用特許：
審査官引用 (4件)
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