半導体装置およびその製造方法

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：小鍜治明 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-016831
公開番号（公開出願番号）：特開平8-213425
出願日： 1995年02月03日
公開日（公表日）： 1996年08月20日
要約：

【要約】【目的】バンプにより半導体素子を回路基板配線に直接接続する実装構造を提供する。【構成】第1のバンプ8がその電極パッド2上に設けられた半導体チップ1と、前記半導体チップ1上の第1のバンプ8に接合した第2のバンプ9がその基板配線6上に設けられた配線回路基板5と、半導体チップ1と配線回路基板5との間隙を充填した封止樹脂7とでなり、半導体チップ1と配線回路基板5との間には第1、第2のバンプ8,9が互いに当接して接合してハイバンプ10が設けられている。この構造により、接着剤不要で半導体チップ1を配線回路基板に接合でき、また熱応力に対応できる半導体素子1と配線回路基板6との接続構造を実現できる。

請求項（抜粋）：

第1の突起電極がその電極パッド上に設けられた半導体素子と、前記半導体素子上の第1の突起電極に接合した第2の突起電極がその基板配線上に設けられた配線回路基板と、前記半導体素子と前記配線回路基板との間隙を充填した封止樹脂とよりなる半導体装置であって、前記半導体素子と配線回路基板との間には前記第1の突起電極と前記第2の突起電極とが互いに当接して接合して高背バンプが設けられていることを特徴とする半導体装置。

IPC (3件)：

H01L 21/60 311 , H01L 21/56 , H01L 21/603

引用特許：

審査官引用 (10件)

特開平4-225542
特開平2-206125
特開昭62-117346

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