有機半導体組成物

発明者： , , ,
出願人/特許権者： ,
代理人 (4件)：浅村皓 , 浅村肇 , 安藤克則 , 池田幸弘
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-135951
公開番号（公開出願番号）：特開2009-283786
出願日： 2008年05月23日
公開日（公表日）： 2009年12月03日
要約：

【課題】特定の有機化合物と高分子材料を含む組成物およびインクを用いることで、耐熱性、大気安定性、基板濡れ性に優れた、電界効果トランジスタ用の材料、および製造法を提供すること。【解決手段】下記一般式(1)で表される部分構造を有する有機半導体材料および高分子材料を含む組成物およびインク。(式中、XはS、Se、またはTeを表す。)【選択図】なし

請求項（抜粋）：

有機半導体材料および高分子材料を含む組成物であって、下記一般式(1)で表される部分構造を有する有機半導体材料を用いることを特徴とする、組成物。

IPC (6件)：

H01L 51/30 , H01L 51/05 , H01L 51/40 , H01L 29/786 , H01L 21/336 , C09D 11/00

FI (7件)：

H01L29/28 220A , H01L29/28 100A , H01L29/28 310A , H01L29/28 250H , H01L29/78 618B , H01L29/78 618A , C09D11/00

Fターム (74件)：

4J039BC54 , 4J039BC59 , 4J039BC69 , 4J039EA24 , 4J039EA25 , 4J039GA34 , 5F110AA08 , 5F110AA23 , 5F110BB01 , 5F110BB03 , 5F110BB05 , 5F110CC03 , 5F110CC05 , 5F110CC07 , 5F110CC09 , 5F110CC10 , 5F110DD01 , 5F110DD02 , 5F110DD03 , 5F110DD05 , 5F110DD06 , 5F110DD13 , 5F110EE01 , 5F110EE02 , 5F110EE03 , 5F110EE04 , 5F110EE06 , 5F110EE07 , 5F110EE08 , 5F110EE11 , 5F110EE42 , 5F110EE43 , 5F110EE44 , 5F110FF01 , 5F110FF02 , 5F110FF03 , 5F110FF22 , 5F110FF23 , 5F110FF27 , 5F110FF28 , 5F110FF29 , 5F110FF30 , 5F110GG01 , 5F110GG05 , 5F110GG06 , 5F110GG07 , 5F110GG19 , 5F110GG25 , 5F110GG28 , 5F110GG29 , 5F110GG42 , 5F110GG57 , 5F110GG58 , 5F110HK01 , 5F110HK02 , 5F110HK03 , 5F110HK04 , 5F110HK06 , 5F110HK07 , 5F110HK09 , 5F110HK10 , 5F110HK11 , 5F110HK21 , 5F110HK25 , 5F110HK32 , 5F110HK33 , 5F110HM04 , 5F110HM12 , 5F110NN04 , 5F110NN22 , 5F110NN23 , 5F110NN24 , 5F110NN27 , 5F110QQ06

引用特許：

出願人引用 (4件)

有機半導体材料、有機半導体膜、有機薄膜トランジスタ及び有機薄膜トランジスタの製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2006-177814 出願人：コニカミノルタホールディングス株式会社
有機装置の電気性質を向上する方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2004-210177 出願人：財団法人工業技術研究院
米国特許2007/0158646号公報

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審査官引用 (1件)

電界効果トランジスタならびにそれらを製造するための材料および方法
公報種別：公表公報出願番号：特願2002-547243 出願人：アベシア・リミテッド

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