特許
J-GLOBAL ID：200903085678148874

セラミックス膜およびその製造方法ならびに半導体装置および圧電素子

発明者：
名取 栄治

名取 栄治 について

, 
古山 晃一

古山 晃一 について

, 
田崎 雄三

田崎 雄三 について


出願人/特許権者：
セイコーエプソン株式会社

セイコーエプソン株式会社 について


代理人 (1件)： 井上 一 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-178839
公開番号（公開出願番号）：特開2002-080220
出願日： 2001年06月13日
公開日（公表日）： 2002年03月19日
要約：
【要約】【課題】 セラミックス膜の表面モフォロジを改善することができる、セラミックス膜の製造方法を提供する。このセラミックス膜の製造方法により得られたセラミックス膜を提供する。このセラミックス膜が適用された半導体装置および圧電素子を提供する。【解決手段】 セラミックス膜の製造方法は、原材料体20を結晶化することにより、セラミックス膜30を形成する工程を含み、原材料体20は、種類が異なる原料を混在した状態で含み、種類が異なる原料同士は、原料の結晶化における結晶成長条件および結晶成長機構の少なくとも一方が相互に異なる関係にある。
請求項（抜粋）：
原材料体を結晶化することにより、セラミックス膜を形成する工程を含み、前記原材料体は、種類が異なる原料を混在した状態で含み、種類が異なる原料同士は、原料の結晶化における結晶成長条件および結晶成長機構の少なくとも一方が相互に異なる関係にある、セラミックス膜の製造方法。
IPC (11件)：
C01G 1/00 ,  C01B 13/14 ,  C01G 29/00 ,  C01G 35/00 ,  H01L 21/822 ,  H01L 21/8242 ,  H01L 27/04 ,  H01L 27/105 ,  H01L 27/108 ,  H01L 41/187 ,  H01L 41/24
FI (12件)：
C01G 1/00 Z ,  C01B 13/14 Z ,  C01G 29/00 ,  C01G 35/00 C ,  H01L 41/22 A ,  H01L 41/18 101 B ,  H01L 41/18 101 C ,  H01L 41/18 101 D ,  H01L 27/10 444 B ,  H01L 27/10 621 Z ,  H01L 41/18 101 J ,  H01L 27/04 C
Fターム (35件)：
4G042DA02 ,  4G042DB12 ,  4G042DC03 ,  4G042DD02 ,  4G042DE03 ,  4G042DE14 ,  4G048AA03 ,  4G048AA05 ,  4G048AB01 ,  4G048AB02 ,  4G048AB05 ,  4G048AC01 ,  4G048AC02 ,  4G048AD02 ,  4G048AD08 ,  4G048AE05 ,  4G048AE08 ,  5F038AC05 ,  5F038AC15 ,  5F038AC16 ,  5F038AC18 ,  5F038AV06 ,  5F038DF05 ,  5F038EZ20 ,  5F083AD21 ,  5F083AD49 ,  5F083FR02 ,  5F083JA14 ,  5F083JA15 ,  5F083JA31 ,  5F083JA32 ,  5F083JA39 ,  5F083JA42 ,  5F083PR23 ,  5F083PR33
引用特許：
出願人引用 (7件)
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審査官引用 (7件)
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