特許
J-GLOBAL ID:200903056880432320

エッチング用ガスおよびその製造方法

発明者:
出願人/特許権者:
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平8-237481
公開番号(公開出願番号):特開平10-087301
出願日: 1996年09月09日
公開日(公表日): 1998年04月07日
要約:
【要約】【課題】 電子デバイス製造分野において有用なドライエッチング用ガス、およびその製造方法を提供する。【解決手段】 水分含有量が1重量ppm 以下であって、かつヨウ化水素濃度99.9重量%以上のガスからなるものである。また、その製法としては、ヨウ素の水素化反応により生成した粗ヨウ化水素ガスを0〜-35°Cに冷却し、生じた凝縮物および/または固化物をガスより除去した後、ゼオライトと接触させることを特徴とする。
請求項(抜粋):
水分含有量が1重量ppm 以下であって、かつヨウ化水素濃度99.9重量%以上のガスからなることを特徴とするエッチング用ガス。
IPC (3件):
C01B 7/13 ,  C23F 4/00 ,  H01L 21/3065
FI (3件):
C01B 7/13 ,  C23F 4/00 E ,  H01L 21/302 F
引用特許:
審査官引用 (9件)
  • 透明導電性膜のドライエッチング方法
    公報種別:公開公報   出願番号:特願平6-252695   出願人:日本真空技術株式会社
  • ドライエッチング方法
    公報種別:公開公報   出願番号:特願平4-096036   出願人:ソニー株式会社
  • 半導体装置の製造方法
    公報種別:公開公報   出願番号:特願平4-276098   出願人:セイコーエプソン株式会社
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