薄膜内の元素の非破壊分布プロファイリングの方法及びシステム

発明者： , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (4件)：熊倉禎男 , 大塚文昭 , 西島孝喜 , 須田洋之
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-521408
公開番号（公開出願番号）：特表2009-500642
出願日： 2006年06月23日
公開日（公表日）： 2009年01月08日
要約：

【課題】薄い膜又は極薄の膜に堆積される1つ又は複数の元素の深さ分布情報を抽出する方法及びシステムを提供する。【解決手段】薄膜内の元素の分布プロフィールを判断する方法。本方法は、第1の薄膜に堆積した元素の電子エネルギを励起する段階、電子エネルギに関連する第1のスペクトルを取得する段階、及び第1のスペクトルから背景スペクトルを除去する段階を含む。背景値を除去すると、処理スペクトルが生成される。本方法は、更に、第1の薄膜に同等の薄膜内の元素に対する既知の模擬分布プロフィールを備えた模擬スペクトルに処理スペクトルを適合させる段階を含む。第1の薄膜内の元素に対する分布プロフィールは、模擬スペクトルの組から選択された模擬スペクトルに処理スペクトルを適合させるこの段階に基づいて取得される。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

サンプル薄膜内の1つ又はそれよりも多くの元素から励起された電子エネルギに関連する第1のスペクトルを取得する段階と、前記第1のスペクトルから背景スペクトルが除去された処理スペクトルを取得する段階と、前記1つ又はそれよりも多くの元素に対する元素分布プロフィールに応じて模擬スペクトルを最適化する段階と、最小化アルゴリズムを用いて前記処理スペクトルを前記模擬スペクトルに適合させる段階と、前記適合化及び最小化に基づいて前記サンプル薄膜内の前記1つ又はそれよりも多くの元素に対する分布プロフィールを判断する段階と、を含むことを特徴とする方法。

IPC (1件)：

G01N 23/227

FI (1件)：

G01N23/227

Fターム (11件)：

2G001AA01 , 2G001BA08 , 2G001CA03 , 2G001FA17 , 2G001GA01 , 2G001GA08 , 2G001JA12 , 2G001KA01 , 2G001KA13 , 2G001LA11 , 2G001MA05

引用特許：

出願人引用 (7件)

米国特許仮出願出願番号第60/698、367号
米国特許第5、315、113号
米国特許第3、772、522号

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審査官引用 (6件)

電子分光法
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-192040 出願人：株式会社ニコン, 工業技術院長
特開昭62-134546
電子分光装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2001-140818 出願人：日本電子株式会社

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