特許

J-GLOBAL ID：200903056913549547

III族窒化物結晶の製造方法および製造装置

発明者： 笠井 仁 ,  岡久 拓司 ,  藤田 俊介 ,  松本 直樹 ,  井尻 英幸 ,  佐藤 史隆 ,  元木 健作 ,  中畑 成二 ,  上松 康二 ,  弘田 龍
出願人/特許権者： 住友電気工業株式会社
代理人 (6件)： 深見 久郎 ,  森田 俊雄 ,  仲村 義平 ,  堀井 豊 ,  野田 久登 ,  酒井 將行
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-218475
公開番号（公開出願番号）：特開2007-197302
出願日： 2006年08月10日
公開日（公表日）： 2007年08月09日
要約：

【課題】結晶成長の際に反応室内に付着した堆積物を効果的に洗浄する方法を含むIII族窒化物結晶の製造方法およびその製造方法において用いられる製造装置を提供する。【解決手段】III族窒化物結晶11の製造方法は、反応室110内にHClガス1を導入して反応室110内を洗浄する工程と、洗浄された反応室110内でIII族窒化物結晶11を気相成長させる工程とを含む。また、III族窒化物結晶11の製造装置100は、反応室110内に直接HClガス1を導入する構造とHVPE法によりIII族窒化物結晶11を成長させる構造とを備える。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

反応室にHClガスを導入して前記反応室内を洗浄する工程と、洗浄された前記反応室内でIII族窒化物結晶を気相成長させる工程とを含むIII族窒化物結晶の製造方法。

IPC (2件)：

C30B 29/38 ,  H01L 21/205

FI (2件)：

C30B29/38 D ,  H01L21/205

Fターム (21件)：

4G077AA02 ,  4G077BE13 ,  4G077BE15 ,  4G077DB05 ,  4G077EG28 ,  4G077HA02 ,  4G077HA06 ,  4G077HA12 ,  4G077TA01 ,  4G077TA04 ,  4G077TB04 ,  4G077TC16 ,  5F045AA02 ,  5F045AB09 ,  5F045AB14 ,  5F045AC12 ,  5F045AC13 ,  5F045AD14 ,  5F045AF09 ,  5F045CA09 ,  5F045HA03

引用特許：

出願人引用 (1件)

• 国際公開第99/23693号パンフレット
  

審査官引用 (3件)

• III-V族窒化物基板ボウル、並びにIII-V族窒化物基板ボウル製造法及び使用法
  公報種別：公表公報   出願番号：特願2001-567830   出願人：アドバンスド.テクノロジー.マテリアルス.インコーポレイテッド
• 連続したハイドライド気相エピタキシャル法
  公報種別：公表公報   出願番号：特願2000-617239   出願人：シービーエルテクノロジーズインコーポレイテッド, 松下電器産業株式会社
• GaN系化合物半導体結晶の結晶成長装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-109699   出願人：株式会社日鉱マテリアルズ