特許
J-GLOBAL ID：200903056947331877
窒化ガリウム系化合物半導体発光素子
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
尾身 祐助
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-171575
公開番号（公開出願番号）：特開平9-008412
出願日： 1995年06月15日
公開日（公表日）： 1997年01月10日
要約：
【要約】【目的】 半導体レーザのしきい値を低減する。発光ダイオードの発光効率を向上させる。【構成】 (0001)方位サファイア基板1上に、In0.06Ga0.94Nバッファ層2、n型In0.06Ga0.94Nクラッド層3、n型In0.06Al0.15Ga0.79Nクラッド層4、層厚50nmのアンドープGaN活性層5、p型In0.06Al0.15Ga0.79Nクラッド層6、p型In0.06Ga0.94Nキャップ層7を順次成長させ、p型In0.06Ga0.94Nキャップ層7上にp側電極8、n型In0.06Ga0.94Nクラッド層3上にn側電極9を形成する。上記の構成において、活性層5の膜厚を十分厚くするとともにこれに引っ張り歪が加わるようにする。また、基板面に垂直方向に偏光された光を基板面に水平方向に放射させる。
請求項（抜粋）：
基板面に垂直な方向が〈0001〉方位となるウルツ鉱構造または基板面に垂直な方向が〈001〉方位となる閃亜鉛鉱構造のGa<SB>x</SB> Al<SB>1-x</SB> N層(但し、0≦x≦1)またはInの組成比の低いGa<SB>y</SB> Al<SB>z</SB> In<SB>1-y-z</SB>N層(但し、0≦y,z≦1、0<y+z<1)からなる量子井戸層を発光層とする窒化ガリウム系化合物半導体発光素子において、前記量子井戸層は10nm以上の膜厚を有するとともに引っ張り歪が加えられており、かつ、光が基板面に平行方向に取り出されることを特徴とする窒化ガリウム系化合物半導体発光素子。
IPC (2件)：
FI (2件)：
引用特許：
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