特許
J-GLOBAL ID：200903056956893250
磁気抵抗効果素子とこれを用いた磁気抵抗効果型磁気ヘッド、磁気記録装置および磁気抵抗効果型メモリー装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
特許業務法人池内・佐藤アンドパートナーズ
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-586013
公開番号（公開出願番号）：特表2004-524708
出願日： 2002年04月24日
公開日（公表日）： 2004年08月12日
要約：
本発明は、磁性層の少なくとも1つが式M100-aXaにより示される強磁性材料M-Xを含み、MR比および耐熱性に優れる磁気抵抗効果(MR)素子を提供する。ただし、Mは、Fe、Co、Niから選ばれる少なくとも1種、Xは、式X1bX2cX3dにより示され(X1は、Cu、Ru、Rh、Pd、Ag、Os、Ir、PtおよびAuから選ばれる少なくとも1種、X2は、Al、Sc、Ti、V、Cr、Mn、Ga、Ge、Y、Zr、Nb、Mo、Hf、Ta、W、Re、Znおよびランタノイドから選ばれる少なくとも1種、X3はSi、B、C、N、O、PおよびSから選ばれる少なくとも1種)、a、b、cおよびdは、それぞれ、0.05≦a≦60、0≦b≦60、0≦c≦30、0≦d≦20、a=b+c+dを満たす数値である。
請求項（抜粋）：
少なくとも2つの磁性層と、前記2つの磁性層の間に配置された少なくとも1つの非磁性層とを含む多層膜を含み、
前記少なくとも2つの磁性層における磁化方向の相対角度に応じて抵抗値が変化する磁気抵抗効果素子であって、
前記磁性層の少なくとも1つが、式M100-aXaにより示される強磁性材料M-Xを含む磁気抵抗効果素子。
ただし、Mは、Fe、CoおよびNiから選ばれる少なくとも1種の元素であり、Xは、式X1bX2cX3dにより示され、X1は、Cu、Ru、Rh、Pd、Ag、Os、Ir、PtおよびAuから選ばれる少なくとも1種の元素であり、X2は、Al、Sc、Ti、V、Cr、Mn、Ga、Ge、Y、Zr、Nb、Mo、Hf、Ta、W、Re、Znおよびランタノイドから選ばれる少なくとも1種の元素であり、X3は、Si、B、C、N、O、PおよびSから選ばれる少なくとも1種の元素であり、a、b、cおよびdは、それぞれ、以下の式を満たす数値である。
0.05≦a≦60
0≦b≦60
0≦c≦30
0≦d≦20
a=b+c+d
IPC (4件)：
H01L43/08
, G11B5/39
, H01L27/105
, H01L43/10
H01L43/08 Z
, H01L43/08 M
, G11B5/39
, H01L43/10
, H01L27/10 447
5D034BA05
, 5F083FZ10
, 5F083JA02
, 5F083JA37
, 5F083JA38
, 5F083JA39
, 5F083JA60
, 5F083PR22
