特許

J-GLOBAL ID：200903057081151803

レーザー処理方法

発明者： 山崎 舜平 ,  田中 幸一郎
出願人/特許権者： 株式会社半導体エネルギー研究所
代理人 (1件)： 玉城 信一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-008132
公開番号（公開出願番号）：特開2001-250790
出願日： 1996年05月30日
公開日（公表日）： 2001年09月14日
要約：

【要約】【課題】レーザーアニール処理によって形成された、複数の半導体素子間の特性のばらつきを抑え、かつ大面積の半導体被膜に対するレーザー処理を高いスループットで行う。【解決手段】お互いに接する第1及び第2の素子形成領域を基板上に形成し、断面が線状のレーザー光で第1の走査経路に沿って前記第1の素子形成領域を走査し、前記断面が線状のレーザー光で第2の走査経路に沿って前記第2の素子形成領域を走査し、前記第1の素子形成領域を有する第1の素子基板と、前記第2の素子形成領域を有する第2の素子基板とに前記基板を分断するレーザー処理方法にであって、前記第1の走査経路と第2の走査経路によって、レーザー光が重なって照射される領域を有し、前記重なって照射される領域は、前記素子基板の外部になるように分断することを特徴とするレーザー処理方法である。

請求項（抜粋）：

お互いに接する第1及び第2の素子形成領域を基板上に形成し、断面が線状のレーザー光で第1の走査経路に沿って前記第1の素子形成領域を走査し、前記断面が線状のレーザー光で第2の走査経路に沿って前記第2の素子形成領域を走査し、前記第1の素子形成領域を有する第1の素子基板と、前記第2の素子形成領域を有する第2の素子基板とに前記基板を分断するレーザー処理方法にであって、前記第1の走査経路と第2の走査経路によって、レーザー光が重なって照射される領域を有し、前記重なって照射される領域は、前記素子基板の外部になるように分断することを特徴とするレーザー処理方法。

IPC (6件)：

H01L 21/268 ,  G02F 1/1368 ,  G09F 9/30 338 ,  H01L 21/20 ,  H01L 29/786 ,  H01L 21/336

FI (5件)：

H01L 21/268 F ,  G02F 1/1368 ,  G09F 9/30 338 ,  H01L 21/20 ,  H01L 29/78 627 G

引用特許：

審査官引用 (16件)

• 特開平2-042717
  
• アクテイブマトリクス基板及びアクテイブマトリクス基板の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-189825   出願人：セイコーエプソン株式会社
• 特開昭60-257511
  
• 特開平3-286518
  
• 特開平4-102311
  
• 特開昭62-216318
  
• レーザー処理方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-173709   出願人：株式会社半導体エネルギー研究所
• 特開平1-260812
  
• 特開平4-307727
  
• 半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-303436   出願人：株式会社半導体エネルギー研究所
• 特開平2-177422
  
• 特開昭64-076715
  
• レーザー処理方法及びレーザー処理装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-158848   出願人：株式会社半導体エネルギー研究所
• 特開平4-053128
  
• 画像表示用の基板とその製造方法、およびTFT表示素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-174577   出願人：エイ・ジー・テクノロジー株式会社
• 半導体装置の作製方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-238505   出願人：株式会社半導体エネルギー研究所